赤外反射吸収分光法による水素化アモルファスシリコン薄膜の成長機構に関する研究

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著者

    • 豊島, 安健 トシマ, ヤスタケ

書誌事項

タイトル

赤外反射吸収分光法による水素化アモルファスシリコン薄膜の成長機構に関する研究

著者名

豊島, 安健

著者別名

トシマ, ヤスタケ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第2941号

学位授与年月日

1996-09-30

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 目次 / (0004.jp2)
  3. 第1章.緒言 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.1 はじめに / p1 (0006.jp2)
  5. 1.2 水素化アモルファスシリコンとプラズマCVD / p3 (0008.jp2)
  6. 1.3 a-Si:H薄膜成長の機構 / p7 (0012.jp2)
  7. 1.4 本論文の構成 / p14 (0019.jp2)
  8. 第2章.その場観察法としての赤外反射吸収分光法 / p18 (0023.jp2)
  9. 2.1 はじめに / p18 (0023.jp2)
  10. 2.2 振動モードと反射分光 / p19 (0024.jp2)
  11. 2.3 反射分光法と偏光 / p21 (0026.jp2)
  12. 2.4 金属基板上の表面選択則 / p23 (0028.jp2)
  13. 2.5 従来型の3層モデルによる定量化 / p25 (0030.jp2)
  14. 2.6 3層モデルの物理的意味とモデルの拡張 / p28 (0033.jp2)
  15. 2.7 シリコンと結合した水素の振動モード / p32 (0037.jp2)
  16. 2.8 表面の水素終端層の屈折率 / p35 (0040.jp2)
  17. 2.9 表面水素の吸収強度と表面の凹凸の影響 / p37 (0042.jp2)
  18. 第3章.その場観察の装置設計と実験方法 / p44 (0049.jp2)
  19. 3.1 はじめに / p44 (0049.jp2)
  20. 3.2 赤外分光の方式 / p44 (0049.jp2)
  21. 3.3 偏光の制御 / p46 (0051.jp2)
  22. 3.4 偏光変調赤外反射分光法 / p49 (0054.jp2)
  23. 3.5 その場観察と偏光変調方式の選択 / p51 (0056.jp2)
  24. 3.6 その場観察のための測定システムの設計 / p52 (0057.jp2)
  25. 3.7 金属基板の選択 / p58 (0063.jp2)
  26. 3.8 その場観測でのデータ取得上の留意点 / p59 (0064.jp2)
  27. 3.9 PMスペクトルのデータ処理 / p64 (0069.jp2)
  28. 3.10 膜厚の測定方法 / p66 (0071.jp2)
  29. 第4章.a-Si:H薄膜成長のその場観察 / p69 (0074.jp2)
  30. 4.1 はじめに / p69 (0074.jp2)
  31. 4.2 a-Si:H薄膜全体の成長の観察 / p71 (0076.jp2)
  32. 4.3 同位体を利用した表面および界面の確認 / p78 (0083.jp2)
  33. 4.4 重水素化薄膜積層による表面水素の検出 / p80 (0085.jp2)
  34. 4.5 重水素プラズマ処理による表面の同位体置換 / p84 (0089.jp2)
  35. 4.6 表面水素の信号強度の下地厚さ依存性 / p88 (0093.jp2)
  36. 4.7 表面水素の結合モードの温度依存性 / p92 (0097.jp2)
  37. 4.8 表面水素の吸収積分強度と熱脱離 / p96 (0101.jp2)
  38. 4.9 a-Si:D薄膜成長表面のその場観察 / p105 (0110.jp2)
  39. 4.10 軽水素と重水素の熱脱離の比較 / p109 (0114.jp2)
  40. 第5章.a-Ge:H薄膜成長のその場観察 / p113 (0118.jp2)
  41. 5.1 はじめに / p113 (0118.jp2)
  42. 5.2 a-Ge:H薄膜成長のバルク観察 / p115 (0120.jp2)
  43. 5.3 a-Ge:H薄膜の成長表面の観察 / p116 (0121.jp2)
  44. 5.4 a-Ge:H薄膜成長表面からの水素の熱脱離 / p120 (0125.jp2)
  45. 第6章.金属基板とa-Si:H薄膜成長の相互作用 / p127 (0132.jp2)
  46. 6.1 はじめに / p127 (0132.jp2)
  47. 6.2 基板の反射率の計算機シミュレーション / p130 (0135.jp2)
  48. 6.3 アルミニウム基板の反射率のシミュレーション / p133 (0138.jp2)
  49. 6.4 a-Si:H薄膜積層のシミュレーション / p136 (0141.jp2)
  50. 6.5 実験結果とシミュレーションの比較 / p139 (0144.jp2)
  51. 6.6 その他の金属基板との相互作用 / p145 (0150.jp2)
  52. 6.7 非金属の基板上でのその場観察 / p151 (0156.jp2)
  53. 第7章.モノシラン分圧のその場測定 / p155 (0160.jp2)
  54. 7.1 はじめに / p155 (0160.jp2)
  55. 7.2 分圧測定の背景 / p156 (0161.jp2)
  56. 7.3 モノシランの吸収の較正 / p162 (0167.jp2)
  57. 7.4 希釈ガスとモノシラン分圧 / p165 (0170.jp2)
  58. 7.5 モノシラン分圧測定の応用例 / p178 (0183.jp2)
  59. 第8章.総括 / p182 (0187.jp2)
  60. 8.1 結論 / p182 (0187.jp2)
  61. 8.2 今後の課題と将来への展望 / p185 (0190.jp2)
  62. 謝辞 / p194 (0199.jp2)
  63. 引用文献 / p195 (0200.jp2)
  64. 発表論文リスト / p198 (0203.jp2)
  65. 付録 / p200 (0205.jp2)
5アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000153811
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001092825
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000318125
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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