Migration-Enhanced Epitaxy法を用いたSi基板上への低転位密度GaAsヘテロエピタキシャル成長に関する研究

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著者

    • 野沢, 和彦 ノザワ, カズヒコ

書誌事項

タイトル

Migration-Enhanced Epitaxy法を用いたSi基板上への低転位密度GaAsヘテロエピタキシャル成長に関する研究

著者名

野沢, 和彦

著者別名

ノザワ, カズヒコ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第2942号

学位授与年月日

1996-09-30

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 目次 / p1 (0003.jp2)
  3. 第1章 序論 / p5 (0005.jp2)
  4. 1.1 背景 / p5 (0005.jp2)
  5. 1.2 本研究の目的 / p8 (0007.jp2)
  6. 1.3 本論文の構成 / p9 (0007.jp2)
  7. 参考文献 / p10 (0008.jp2)
  8. 第2章 Si基板上へのGaAs結晶成長技術の問題点とその克服法 / p13 (0009.jp2)
  9. 2.1 序 / p13 (0009.jp2)
  10. 2.2 GaAsとSiの物性の相違に起因したGaAs/Si成長の問題点 / p13 (0009.jp2)
  11. 2.3 Si基板上のGaAs結晶高品質化技術 / p31 (0018.jp2)
  12. 2.4 解決すべき問題点 / p35 (0020.jp2)
  13. 2.5 まとめ / p35 (0020.jp2)
  14. 参考文献 / p36 (0021.jp2)
  15. 第3章 Migration-Enhanced Epitaxy(MEE)法 / p41 (0023.jp2)
  16. 3.1 序 / p41 (0023.jp2)
  17. 3.2 MEE法の基本的な原理 / p42 (0024.jp2)
  18. 3.3 MEE法によるmigrationの促進 / p44 (0025.jp2)
  19. 3.4 自己平坦化現象 / p45 (0025.jp2)
  20. 3.5 MEE法による低温成長 / p47 (0026.jp2)
  21. 3.6 MEEのための成長装置 / p49 (0027.jp2)
  22. 3.7 MEE法によるGaAs/Si成長時の条件 / p54 (0030.jp2)
  23. 3.8 まとめ / p55 (0030.jp2)
  24. 参考文献 / p56 (0031.jp2)
  25. 第4章 成長初期の格子不整合緩和(微傾斜基板の傾斜角度と格子不整合緩和) / p59 (0032.jp2)
  26. 4.1 序 / p59 (0032.jp2)
  27. 4.2 試料の作製 / p59 (0032.jp2)
  28. 4.3 微傾斜基板の傾斜角度および成長温度と残留応力との関係 / p61 (0033.jp2)
  29. 4.4 GaAs/Siのミスオリエンテーションと基板の傾斜角度との関係 / p64 (0035.jp2)
  30. 4.5 緩和のおこり易さとGaAs/Siの結晶品質との関係 / p73 (0039.jp2)
  31. 4.6 まとめ / p77 (0041.jp2)
  32. 参考文献 / p77 (0041.jp2)
  33. 第5章 Siの基板上へのGaAs成長開始条件 / p79 (0042.jp2)
  34. 5.1 序 / p79 (0042.jp2)
  35. 5.2 成長開始直後における3次元成長の由来 / p80 (0043.jp2)
  36. 5.3 成長モードのプリレイヤ形成条件依存性 / p82 (0044.jp2)
  37. 5.4 プリレイヤ形成条件と結晶性との関係 / p86 (0046.jp2)
  38. 5.5 プリレイヤ形成条件とGaAs膜のミスオリエンテーション / p92 (0049.jp2)
  39. 5.6 初期バッファ層を低温MEE成長する効果 / p95 (0050.jp2)
  40. 5.7 まとめ / p95 (0050.jp2)
  41. 参考文献 / p96 (0051.jp2)
  42. 第6章 低温MEE成長によるGaAs/Si膜の特徴とアニールの効果 / p99 (0052.jp2)
  43. 6.1 序 / p99 (0052.jp2)
  44. 6.2 低温MEE成長によるGaAs/Si膜の特徴 / p100 (0053.jp2)
  45. 6.3 低温MEE成長によるGaAs/Si膜のアニール効果(初期バッファ層のアニールとポストグロースアニール) / p108 (0057.jp2)
  46. 6.4 低温成長で高品質なGaAs/Siの成長を行うための指針 / p118 (0062.jp2)
  47. 6.5 まとめ / p121 (0063.jp2)
  48. 参考文献 / p122 (0064.jp2)
  49. 第7章 不純物添加による貫通転位密度の低減効果 / p125 (0065.jp2)
  50. 7.1 序 / p125 (0065.jp2)
  51. 7.2 不純物を高濃度に一様ドープした試料における転位密度低減効果 / p127 (0066.jp2)
  52. 7.3 不純物のシートドープによる転位密度低減効果 / p135 (0070.jp2)
  53. 7.4 不純物の高濃度ドーピングによる転位密度低減のメカニズム / p139 (0072.jp2)
  54. 7.5 不純物を高濃度ドーピングした試料のポストグロースアニール / p142 (0074.jp2)
  55. 7.6 まとめ / p144 (0075.jp2)
  56. 参考文献 / p145 (0075.jp2)
  57. 第8章 MEE低温成長InGaAs/GaAs歪超格子による低転位密度GaAs/Si / p149 (0077.jp2)
  58. 8.1 序 / p149 (0077.jp2)
  59. 8.2 標準試料の断面TEM観察 / p153 (0079.jp2)
  60. 8.3 低温成長歪超格子の特徴 / p155 (0080.jp2)
  61. 8.4 低温成長歪超格子の歪緩和に対するIn組成依存性とGaAs/Si表面の貫通転位密度 / p162 (0084.jp2)
  62. 8.5 低転位密度GaAs/Si上に形成した量子井戸からのフォトルミネッセンス発光 / p169 (0087.jp2)
  63. 8.6 残された問題点 / p173 (0089.jp2)
  64. 8.7 まとめ / p175 (0090.jp2)
  65. 参考文献 / p176 (0091.jp2)
  66. 第9章 残された問題点 / p181 (0093.jp2)
  67. 9.1 序(問題の発生) / p181 (0093.jp2)
  68. 9.2 低転位密度GaAs/Siのポストグロースアニール / p182 (0094.jp2)
  69. 9.3 熱的安定性向上の検討 / p183 (0094.jp2)
  70. 9.4 GaAs/Siの今後の展望 / p186 (0096.jp2)
  71. 参考文献 / p187 (0096.jp2)
  72. 第10章 総括 / p189 (0097.jp2)
  73. 付録A 臨界膜厚と膜厚に対する残留応力の変化 / p193 (0099.jp2)
  74. 付録B ミスフィット転位密度と内部応力との関係 / p197 (0101.jp2)
  75. 付録C 薄膜の内部応力と格子歪との関係 / p200 (0103.jp2)
  76. 付録D X線回折による応力の測定 / p202 (0104.jp2)
  77. 付録E X線の入射方位とみかけ上のBragg角の変化 / p204 (0105.jp2)
  78. 謝辞 / p209 (0107.jp2)
  79. 本研究に関係する発表論文等 / p211 (0108.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000153812
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001092826
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000318126
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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