Migration-Enhanced Epitaxy法を用いたSi基板上への低転位密度GaAsヘテロエピタキシャル成長に関する研究
Access this Article
Search this Article
Author
Bibliographic Information
- Title
-
Migration-Enhanced Epitaxy法を用いたSi基板上への低転位密度GaAsヘテロエピタキシャル成長に関する研究
- Author
-
野沢, 和彦
- Author(Another name)
-
ノザワ, カズヒコ
- University
-
東京工業大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
乙第2942号
- Degree year
-
1996-09-30
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 論文目録 / (0002.jp2)
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p5 (0005.jp2)
- 1.1 背景 / p5 (0005.jp2)
- 1.2 本研究の目的 / p8 (0007.jp2)
- 1.3 本論文の構成 / p9 (0007.jp2)
- 参考文献 / p10 (0008.jp2)
- 第2章 Si基板上へのGaAs結晶成長技術の問題点とその克服法 / p13 (0009.jp2)
- 2.1 序 / p13 (0009.jp2)
- 2.2 GaAsとSiの物性の相違に起因したGaAs/Si成長の問題点 / p13 (0009.jp2)
- 2.3 Si基板上のGaAs結晶高品質化技術 / p31 (0018.jp2)
- 2.4 解決すべき問題点 / p35 (0020.jp2)
- 2.5 まとめ / p35 (0020.jp2)
- 参考文献 / p36 (0021.jp2)
- 第3章 Migration-Enhanced Epitaxy(MEE)法 / p41 (0023.jp2)
- 3.1 序 / p41 (0023.jp2)
- 3.2 MEE法の基本的な原理 / p42 (0024.jp2)
- 3.3 MEE法によるmigrationの促進 / p44 (0025.jp2)
- 3.4 自己平坦化現象 / p45 (0025.jp2)
- 3.5 MEE法による低温成長 / p47 (0026.jp2)
- 3.6 MEEのための成長装置 / p49 (0027.jp2)
- 3.7 MEE法によるGaAs/Si成長時の条件 / p54 (0030.jp2)
- 3.8 まとめ / p55 (0030.jp2)
- 参考文献 / p56 (0031.jp2)
- 第4章 成長初期の格子不整合緩和(微傾斜基板の傾斜角度と格子不整合緩和) / p59 (0032.jp2)
- 4.1 序 / p59 (0032.jp2)
- 4.2 試料の作製 / p59 (0032.jp2)
- 4.3 微傾斜基板の傾斜角度および成長温度と残留応力との関係 / p61 (0033.jp2)
- 4.4 GaAs/Siのミスオリエンテーションと基板の傾斜角度との関係 / p64 (0035.jp2)
- 4.5 緩和のおこり易さとGaAs/Siの結晶品質との関係 / p73 (0039.jp2)
- 4.6 まとめ / p77 (0041.jp2)
- 参考文献 / p77 (0041.jp2)
- 第5章 Siの基板上へのGaAs成長開始条件 / p79 (0042.jp2)
- 5.1 序 / p79 (0042.jp2)
- 5.2 成長開始直後における3次元成長の由来 / p80 (0043.jp2)
- 5.3 成長モードのプリレイヤ形成条件依存性 / p82 (0044.jp2)
- 5.4 プリレイヤ形成条件と結晶性との関係 / p86 (0046.jp2)
- 5.5 プリレイヤ形成条件とGaAs膜のミスオリエンテーション / p92 (0049.jp2)
- 5.6 初期バッファ層を低温MEE成長する効果 / p95 (0050.jp2)
- 5.7 まとめ / p95 (0050.jp2)
- 参考文献 / p96 (0051.jp2)
- 第6章 低温MEE成長によるGaAs/Si膜の特徴とアニールの効果 / p99 (0052.jp2)
- 6.1 序 / p99 (0052.jp2)
- 6.2 低温MEE成長によるGaAs/Si膜の特徴 / p100 (0053.jp2)
- 6.3 低温MEE成長によるGaAs/Si膜のアニール効果(初期バッファ層のアニールとポストグロースアニール) / p108 (0057.jp2)
- 6.4 低温成長で高品質なGaAs/Siの成長を行うための指針 / p118 (0062.jp2)
- 6.5 まとめ / p121 (0063.jp2)
- 参考文献 / p122 (0064.jp2)
- 第7章 不純物添加による貫通転位密度の低減効果 / p125 (0065.jp2)
- 7.1 序 / p125 (0065.jp2)
- 7.2 不純物を高濃度に一様ドープした試料における転位密度低減効果 / p127 (0066.jp2)
- 7.3 不純物のシートドープによる転位密度低減効果 / p135 (0070.jp2)
- 7.4 不純物の高濃度ドーピングによる転位密度低減のメカニズム / p139 (0072.jp2)
- 7.5 不純物を高濃度ドーピングした試料のポストグロースアニール / p142 (0074.jp2)
- 7.6 まとめ / p144 (0075.jp2)
- 参考文献 / p145 (0075.jp2)
- 第8章 MEE低温成長InGaAs/GaAs歪超格子による低転位密度GaAs/Si / p149 (0077.jp2)
- 8.1 序 / p149 (0077.jp2)
- 8.2 標準試料の断面TEM観察 / p153 (0079.jp2)
- 8.3 低温成長歪超格子の特徴 / p155 (0080.jp2)
- 8.4 低温成長歪超格子の歪緩和に対するIn組成依存性とGaAs/Si表面の貫通転位密度 / p162 (0084.jp2)
- 8.5 低転位密度GaAs/Si上に形成した量子井戸からのフォトルミネッセンス発光 / p169 (0087.jp2)
- 8.6 残された問題点 / p173 (0089.jp2)
- 8.7 まとめ / p175 (0090.jp2)
- 参考文献 / p176 (0091.jp2)
- 第9章 残された問題点 / p181 (0093.jp2)
- 9.1 序(問題の発生) / p181 (0093.jp2)
- 9.2 低転位密度GaAs/Siのポストグロースアニール / p182 (0094.jp2)
- 9.3 熱的安定性向上の検討 / p183 (0094.jp2)
- 9.4 GaAs/Siの今後の展望 / p186 (0096.jp2)
- 参考文献 / p187 (0096.jp2)
- 第10章 総括 / p189 (0097.jp2)
- 付録A 臨界膜厚と膜厚に対する残留応力の変化 / p193 (0099.jp2)
- 付録B ミスフィット転位密度と内部応力との関係 / p197 (0101.jp2)
- 付録C 薄膜の内部応力と格子歪との関係 / p200 (0103.jp2)
- 付録D X線回折による応力の測定 / p202 (0104.jp2)
- 付録E X線の入射方位とみかけ上のBragg角の変化 / p204 (0105.jp2)
- 謝辞 / p209 (0107.jp2)
- 本研究に関係する発表論文等 / p211 (0108.jp2)
