走査型トンネル顕微鏡法によるSi表面上の動的過程の研究

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著者

    • 長谷川, 剛 ハセガワ, ツヨシ

書誌事項

タイトル

走査型トンネル顕微鏡法によるSi表面上の動的過程の研究

著者名

長谷川, 剛

著者別名

ハセガワ, ツヨシ

学位授与大学

東京工業大学

取得学位

博士 (理学)

学位授与番号

乙第2954号

学位授与年月日

1996-11-30

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0002.jp2)
  2. 目次 / p1 (0004.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.1 はじめに / p1 (0006.jp2)
  5. 1.2 表面研究手法 / p3 (0007.jp2)
  6. 1.3 表面再構成 / p14 (0013.jp2)
  7. 1.4 本研究の目的 / p19 (0015.jp2)
  8. 1.5 本論文の構成 / p22 (0017.jp2)
  9. 参考文献 / p24 (0018.jp2)
  10. 第2章 装置及び観察手法の開発 / p27 (0019.jp2)
  11. 2.1 超高真空走査型トンネル顕微鏡の開発 / p27 (0019.jp2)
  12. 2.2 実時間観察技術 / p33 (0022.jp2)
  13. 2.3 探針の作製 / p45 (0028.jp2)
  14. 2.4 2章のまとめ / p47 (0029.jp2)
  15. 参考文献 / p48 (0030.jp2)
  16. 第3章 Si(lll)表面上のAu吸着過程 / p50 (0031.jp2)
  17. 3.1 従来の研究 / p50 (0031.jp2)
  18. 3.2 実験方法 / p54 (0033.jp2)
  19. 3.3 高温での実時間観察結果(5×2構造形成過程) / p55 (0033.jp2)
  20. 3.4 室温での観察結果(Si(lll)-5X2Au構造) / p85 (0048.jp2)
  21. 3.5 Au原子の2倍方向への拡散 / p93 (0052.jp2)
  22. 3.6 5×2構造とその形成過程の検討 / p98 (0055.jp2)
  23. 3.7 3章のまとめと今後の課題 / p111 (0061.jp2)
  24. 参考文献 / p114 (0063.jp2)
  25. 第4章 Si(lll)表面上のホモエピタキシャル成長過程 / p116 (0064.jp2)
  26. 4.1 従来の研究 / p116 (0064.jp2)
  27. 4.2 実験方法 / p120 (0066.jp2)
  28. 4.3 実験結果 / p123 (0067.jp2)
  29. 4.4 4章のまとめと今後の課題 / p160 (0086.jp2)
  30. 参考文献 / p163 (0087.jp2)
  31. 第5章 Si(lll)表面上の酸素吸着過程 / p165 (0088.jp2)
  32. 5.1 従来の研究 / p165 (0088.jp2)
  33. 5.2 実験方法 / p170 (0091.jp2)
  34. 5.3 観察結果と考察 / p171 (0091.jp2)
  35. 5.4 5章のまとめと今後の課題 / p183 (0097.jp2)
  36. 参考文献 / p185 (0098.jp2)
  37. 第6章 結論 / p187 (0099.jp2)
  38. 6.1 本研究の成果 / p187 (0099.jp2)
  39. 6.2 今後の課題と展望 / p192 (0102.jp2)
  40. 参考文献 / p194 (0103.jp2)
  41. 謝辞 / p195 (0103.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000153824
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001092838
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000318138
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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