走査型トンネル顕微鏡法によるSi表面上の動的過程の研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
走査型トンネル顕微鏡法によるSi表面上の動的過程の研究
- 著者名
-
長谷川, 剛
- 著者別名
-
ハセガワ, ツヨシ
- 学位授与大学
-
東京工業大学
- 取得学位
-
博士 (理学)
- 学位授与番号
-
乙第2954号
- 学位授与年月日
-
1996-11-30
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文目録 / (0002.jp2)
- 目次 / p1 (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 1.1 はじめに / p1 (0006.jp2)
- 1.2 表面研究手法 / p3 (0007.jp2)
- 1.3 表面再構成 / p14 (0013.jp2)
- 1.4 本研究の目的 / p19 (0015.jp2)
- 1.5 本論文の構成 / p22 (0017.jp2)
- 参考文献 / p24 (0018.jp2)
- 第2章 装置及び観察手法の開発 / p27 (0019.jp2)
- 2.1 超高真空走査型トンネル顕微鏡の開発 / p27 (0019.jp2)
- 2.2 実時間観察技術 / p33 (0022.jp2)
- 2.3 探針の作製 / p45 (0028.jp2)
- 2.4 2章のまとめ / p47 (0029.jp2)
- 参考文献 / p48 (0030.jp2)
- 第3章 Si(lll)表面上のAu吸着過程 / p50 (0031.jp2)
- 3.1 従来の研究 / p50 (0031.jp2)
- 3.2 実験方法 / p54 (0033.jp2)
- 3.3 高温での実時間観察結果(5×2構造形成過程) / p55 (0033.jp2)
- 3.4 室温での観察結果(Si(lll)-5X2Au構造) / p85 (0048.jp2)
- 3.5 Au原子の2倍方向への拡散 / p93 (0052.jp2)
- 3.6 5×2構造とその形成過程の検討 / p98 (0055.jp2)
- 3.7 3章のまとめと今後の課題 / p111 (0061.jp2)
- 参考文献 / p114 (0063.jp2)
- 第4章 Si(lll)表面上のホモエピタキシャル成長過程 / p116 (0064.jp2)
- 4.1 従来の研究 / p116 (0064.jp2)
- 4.2 実験方法 / p120 (0066.jp2)
- 4.3 実験結果 / p123 (0067.jp2)
- 4.4 4章のまとめと今後の課題 / p160 (0086.jp2)
- 参考文献 / p163 (0087.jp2)
- 第5章 Si(lll)表面上の酸素吸着過程 / p165 (0088.jp2)
- 5.1 従来の研究 / p165 (0088.jp2)
- 5.2 実験方法 / p170 (0091.jp2)
- 5.3 観察結果と考察 / p171 (0091.jp2)
- 5.4 5章のまとめと今後の課題 / p183 (0097.jp2)
- 参考文献 / p185 (0098.jp2)
- 第6章 結論 / p187 (0099.jp2)
- 6.1 本研究の成果 / p187 (0099.jp2)
- 6.2 今後の課題と展望 / p192 (0102.jp2)
- 参考文献 / p194 (0103.jp2)
- 謝辞 / p195 (0103.jp2)