ハイブリッド励起CVD法によるシリコン窒化膜の研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
ハイブリッド励起CVD法によるシリコン窒化膜の研究
- 著者名
-
山本, 茂市
- 著者別名
-
ヤマモト, シゲイチ
- 学位授与大学
-
東京工業大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第3009号
- 学位授与年月日
-
1997-02-28
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文目録 / (0002.jp2)
- 目次 / p1 (0005.jp2)
- 第1章 序論 / p4 (0006.jp2)
- 1･1 液晶ディスプレイの可能性と課題 / p4 (0006.jp2)
- 1･2 シリコン上へのゲート絶縁膜用SiNx膜堆積の必要性 / p5 (0007.jp2)
- 1･3 本研究の目的 / p8 (0008.jp2)
- 第2章 ハイブリッド励起法の提案 / p12 (0010.jp2)
- 2･1 はじめに / p12 (0010.jp2)
- 2･2 プラズマ励起CVD法の問題点 / p12 (0010.jp2)
- 2･3 光励起CVD法の問題点 / p32 (0020.jp2)
- 2･4 ハイブリッド励起法の提案 / p55 (0032.jp2)
- 2･5 まとめ / p60 (0034.jp2)
- 第3章 H₂とNH₃を用いたハイブリッド励起によるシリコンの窒化 / p66 (0037.jp2)
- 3･1 はじめに / p66 (0037.jp2)
- 3･2 窒化におけるハイブリッド励起の相乗効果 / p66 (0037.jp2)
- 3･3 NH₃の光分解における水素ラジカルの役割 / p74 (0041.jp2)
- 3･4 まとめ / p80 (0044.jp2)
- 第4章 NH₃を用いたハイブリッド励起によるシリコンの窒化 / p84 (0046.jp2)
- 4･1 はじめに / p84 (0046.jp2)
- 4･2 Si(100)の窒化の確認 / p84 (0046.jp2)
- 4･3 a-Si:Hの窒化の確認 / p85 (0047.jp2)
- 4･4 N₂H₄を介するNH₃の光分解 / p92 (0050.jp2)
- 4･5 まとめ / p93 (0051.jp2)
- 第5章 ハイブリッド励起法によるSiNx膜の堆積 / p96 (0052.jp2)
- 5･1 はじめに / p96 (0052.jp2)
- 5･2 堆積時の全ガス圧の効果 / p96 (0052.jp2)
- 5･3 NH₃/SiH₄のガス流量比の効果 / p110 (0059.jp2)
- 5･4 基板温度の効果 / p120 (0064.jp2)
- 5･5 界面電荷密度に及ぼすSi(100)基板の窒化の効果 / p128 (0068.jp2)
- 5･6 まとめ / p131 (0070.jp2)
- 第6章 ハイブリッド励起法によるTFTの移動度向上 / p134 (0071.jp2)
- 6･1 はじめに / p134 (0071.jp2)
- 6･2 a-Si:H膜表面の窒化およびSiNx膜堆積の効果 / p134 (0071.jp2)
- 6･3 a-Si:H膜の膜質改善の効果 / p148 (0078.jp2)
- 6･4 真性移動度の推定 / p164 (0086.jp2)
- 6･5 まとめ / p168 (0088.jp2)
- 第7章 ハイブリッド励起法によるFETの移動度向上 / p172 (0090.jp2)
- 7･1 はじめに / p172 (0090.jp2)
- 7･2 Si(100)表面の窒化の効果 / p172 (0090.jp2)
- 7･3 ハイブリッド励起装置の改造 / p176 (0092.jp2)
- 7･4 まとめ / p179 (0094.jp2)
- 第8章 結論 / p180 (0094.jp2)
- 謝辞 / p183 (0096.jp2)
- 本研究に関する発表論文のリスト / p184 (0096.jp2)