改良Lely法によるSiC単結晶育成と結晶性評価の研究

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著者

    • 高橋, 淳 タカハシ, ジュン

書誌事項

タイトル

改良Lely法によるSiC単結晶育成と結晶性評価の研究

著者名

高橋, 淳

著者別名

タカハシ, ジュン

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第7243号

学位授与年月日

1997-06-11

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 第1節 / p1 (0005.jp2)
  4. 第2節 SiC半導体 / p2 (0006.jp2)
  5. 1.2.1.SiC半導体の電気特性とデバイス応用 / p2 (0006.jp2)
  6. 1.2.2.SiC結晶の多形現象 / p4 (0007.jp2)
  7. 第3節 SiCバルク単結晶育成方法と課題 / p12 (0011.jp2)
  8. 1.3.1.Acheson法 / p12 (0011.jp2)
  9. 1.3.2.Lely法 / p15 (0012.jp2)
  10. 1.3.3.改良Lely法 / p15 (0012.jp2)
  11. 1.3.4.単結晶育成の課題 / p17 (0013.jp2)
  12. 第4節 本研究の目的 / p18 (0014.jp2)
  13. 第5節 本論文の構成 / p19 (0014.jp2)
  14. 参考文献 / p21 (0015.jp2)
  15. 第2章 実験方法 / p24 (0017.jp2)
  16. 第1節 単結晶育成 / p24 (0017.jp2)
  17. 2.1.1.単結晶育成装置 / p24 (0017.jp2)
  18. 2.1.2.高周波加熱 / p24 (0017.jp2)
  19. 2.1.3.坩堝構造 / p26 (0018.jp2)
  20. 2.1.4.原料 / p28 (0019.jp2)
  21. 2.1.5.種結晶 / p28 (0019.jp2)
  22. 2.1.6.ドーパント添加 / p29 (0019.jp2)
  23. 第2節 構造欠陥評価 / p29 (0019.jp2)
  24. 2.2.1.ノマルスキー顕微鏡観察 / p29 (0019.jp2)
  25. 2.2.2.透過偏光顕微鏡観察 / p30 (0020.jp2)
  26. 2.2.3.溶融KOHエッチング / p30 (0020.jp2)
  27. 2.2.4.高分解能X線回折 / p31 (0020.jp2)
  28. 2.2.5.透過型電子顕微鏡観察 / p31 (0020.jp2)
  29. 2.2.6.X線トポプラフィー / p31 (0020.jp2)
  30. 第3節 ポリタイプ評価 / p32 (0021.jp2)
  31. 2.3.1.Raman散乱測定 / p35 (0022.jp2)
  32. 2.3.2.禁制X線回折法 / p35 (0022.jp2)
  33. 2.3.3.紫外線励起発光観察 / p37 (0023.jp2)
  34. 第4節 電気特性、光学特性評価 / p37 (0023.jp2)
  35. 2.4.1.光透過スペクトル測定 / p39 (0024.jp2)
  36. 2.4.2.ホール効果測定 / p39 (0024.jp2)
  37. 2.4.3.抵抗率測定 / p41 (0025.jp2)
  38. 2.4.4.不純物分析 / p41 (0025.jp2)
  39. 参考文献 / p43 (0026.jp2)
  40. 第3章 <0001>方向への単結晶育成と結晶性評価 / p44 (0027.jp2)
  41. 第1節 緒言 / p44 (0027.jp2)
  42. 第2節 成長条件最適化と育成結晶外観 / p44 (0027.jp2)
  43. 3.2.1.原料ガス輸送と単結晶成長 / p45 (0027.jp2)
  44. 3.2.2.成長シーケンスの作成 / p49 (0029.jp2)
  45. 3.2.3.育成結晶外観と成長表面観察 / p54 (0032.jp2)
  46. 3.2.4.不純物分析 / p54 (0032.jp2)
  47. 第3節 単結晶大型化とポリタイプ制御 / p59 (0034.jp2)
  48. 3.3.1.大型化を阻害する因子 / p63 (0036.jp2)
  49. 3.3.2.大型化のための坩堝設計と育成条件 / p63 (0036.jp2)
  50. 3.3.3.成長面極性と発生ポリタイプ / p65 (0037.jp2)
  51. 3.3.4.成長条件と発生ポリタイプ / p67 (0038.jp2)
  52. 3.3.5.育成結晶形状とポリタイプ混在防止 / p69 (0039.jp2)
  53. 3.3.6.二段階成長によるポリタイプ制御 / p71 (0040.jp2)
  54. 第4節 伝導性制御と成長面極性依存性 / p74 (0042.jp2)
  55. 3.4.1.(0001)C面成長と(0001)Si面成長 / p74 (0042.jp2)
  56. 3.4.2.ホール効果測定 / p77 (0043.jp2)
  57. 3.4.3.不純物取込みにおける面極性依存性の考察 / p77 (0043.jp2)
  58. 3.4.4.透過スペクトル / p84 (0047.jp2)
  59. 3.4.5.6H形と4H形結晶の電子移動度 / p87 (0048.jp2)
  60. 第5節 構造欠陥解析 / p89 (0049.jp2)
  61. 3.5.1.エッチング法による評価 / p89 (0049.jp2)
  62. 3.5.2.X線回折法による評価 / p103 (0056.jp2)
  63. 第6節 結言 / p110 (0060.jp2)
  64. 参考文献 / p113 (0061.jp2)
  65. 第4章 <0001>に垂直な方向への単結晶育成と結晶性評価 / p115 (0062.jp2)
  66. 第1節 緒言 / p115 (0062.jp2)
  67. 第2節 [1100]及び[1120]方向への成長 / p116 (0063.jp2)
  68. 4.2.1.<0001>に垂直な方向への単結晶育成の意義 / p116 (0063.jp2)
  69. 4.2.2.育成結晶外観評価 / p117 (0063.jp2)
  70. 4.2.3.成長速度の面方位依存性 / p121 (0065.jp2)
  71. 4.2.4.成長ポリタイプ / p121 (0065.jp2)
  72. 第3節 構造欠陥解析 / p125 (0067.jp2)
  73. 4.3.1.偏光顕微鏡観察 / p125 (0067.jp2)
  74. 4.3.2.エッチング法による評価 / p125 (0067.jp2)
  75. 4.3.3.X線回折法による評価 / p128 (0069.jp2)
  76. 4.3.4.発生欠陥の成長方位依存性 / p140 (0075.jp2)
  77. 第4節 電気特性評価と構造欠陥の及ぼす影響 / p144 (0077.jp2)
  78. 4.4.1.asymmetry測定 / p146 (0078.jp2)
  79. 4.4.2.抵抗率測定 / p146 (0078.jp2)
  80. 4.4.3.積層欠陥準位と空乏層モデル / p153 (0081.jp2)
  81. 4.4.4.積層欠陥発生機構 / p159 (0084.jp2)
  82. 4.4.5.[1120]成長結晶の移動度 / p161 (0085.jp2)
  83. 第5節 結言 / p163 (0086.jp2)
  84. 参考文献 / p165 (0087.jp2)
  85. 第5章 結論 / p167 (0088.jp2)
  86. 第1節 結論 / p167 (0088.jp2)
  87. 第2節 今後の課題 / p168 (0089.jp2)
  88. 参考文献 / p170 (0090.jp2)
  89. 付録 / p171 (0090.jp2)
  90. 謝辞 / p175 (0092.jp2)
4アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000153960
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001092972
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000318274
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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