酸化スズ半導体薄膜における導電率変化現象の解明とその応用化研究

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著者

    • 金森, 正晃 カナモリ, マサアキ

書誌事項

タイトル

酸化スズ半導体薄膜における導電率変化現象の解明とその応用化研究

著者名

金森, 正晃

著者別名

カナモリ, マサアキ

学位授与大学

岐阜大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第20号

学位授与年月日

1995-03-24

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. 論文内容の要旨 / p1 (0004.jp2)
  3. 目次 / (0007.jp2)
  4. 第1章 序文 / p1 (0011.jp2)
  5. 1.1 はじめに / p1 (0011.jp2)
  6. 1.2 ガスセンシング機構 / p5 (0015.jp2)
  7. 1.3 センサ特性の経時変化 / p10 (0020.jp2)
  8. 1.4 本研究の目的 / p11 (0021.jp2)
  9. 第2章 酸化スズ薄膜ガスセンサにおけるガス感度の膜厚依存性 / p16 (0026.jp2)
  10. 2.1 序論 / p16 (0026.jp2)
  11. 2.2 実験方法 / p17 (0027.jp2)
  12. 2.3 結果と考察 / p18 (0028.jp2)
  13. 2.4 結論 / p23 (0033.jp2)
  14. 第3章 酸化スズ薄膜ガスセンサにおけるガス感度と膜構造との関係 / p34 (0044.jp2)
  15. 3.1 序論 / p34 (0044.jp2)
  16. 3.2 実験方法 / p35 (0045.jp2)
  17. 3.3 結果と考察 / p35 (0045.jp2)
  18. 3.4 結論 / p39 (0049.jp2)
  19. 第4章 酸化亜鉛薄膜における光電導現象の解析 / p49 (0059.jp2)
  20. 4.1 序論 / p49 (0059.jp2)
  21. 4.2 実験方法 / p51 (0061.jp2)
  22. 4.3 結果 / p52 (0062.jp2)
  23. 4.4 考察 / p53 (0063.jp2)
  24. 4.5 結論 / p56 (0066.jp2)
  25. 第5章 酸化スズ薄膜ガスセンサにおけるキャリア濃度変化現象の解析 / p65 (0075.jp2)
  26. 5.1 序論 / p65 (0075.jp2)
  27. 5.2 実験方法 / p66 (0076.jp2)
  28. 5.3 結果と考察 / p68 (0078.jp2)
  29. 5.4 結論 / p72 (0082.jp2)
  30. 第6章 酸化スズ薄膜ガスセンサにおけるIV族元素酸化物の添加効果 / p81 (0091.jp2)
  31. 6.1 序論 / p81 (0091.jp2)
  32. 6.2 実験方法 / p82 (0092.jp2)
  33. 6.3 結果および考察 / p83 (0093.jp2)
  34. 6.4 結論 / p87 (0097.jp2)
  35. 第7章 酸化スズ薄膜における抵抗率の経時変化現象の解明 / p98 (0108.jp2)
  36. 7.1 序論 / p98 (0108.jp2)
  37. 7.2 水蒸気共存空気中における抵抗率の経時変化現象の解明 / p100 (0110.jp2)
  38. 7.3 還元性ガスが共存する空気中における抵抗率の経時変化現象の解明 / p106 (0116.jp2)
  39. 7.4 結論 / p109 (0119.jp2)
  40. 第8章 総括 / p124 (0134.jp2)
  41. 8.1 酸化スズ薄膜におけるガスセンシング機構 / p124 (0134.jp2)
  42. 8.2 センサ特性の経時変化原因とその安定化指針 / p127 (0137.jp2)
  43. 論文リスト / p129 (0139.jp2)
  44. 参考論文リスト / p130 (0140.jp2)
  45. 謝辞 / p131 (0141.jp2)
11アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000154549
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000001093538
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000318863
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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