液晶の表面配向におけるメモリー効果に関する研究

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著者

    • 宣, 麗 セン, リ

書誌事項

タイトル

液晶の表面配向におけるメモリー効果に関する研究

著者名

宣, 麗

著者別名

セン, リ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第6599号

学位授与年月日

1998-09-09

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 第1章の参考文献 / p7 (0013.jp2)
  4. 第2章 界面の吸着エネルギー / p9 (0015.jp2)
  5. 2-1 まえがき / p9 (0015.jp2)
  6. 2-2 大村の提案した吸着・脱離熱力学的モデル / p10 (0016.jp2)
  7. 2-3 大村吸着・脱離モデルの検証 / p22 (0028.jp2)
  8. 2-4 配向回転機構の考え / p30 (0036.jp2)
  9. 2-5 吸着エネルギーの導出過程 / p41 (0047.jp2)
  10. 2-6 得られた吸着エネルギーの検討 / p47 (0053.jp2)
  11. 2-7 他の配向膜表面の吸着エネルギー / p50 (0056.jp2)
  12. 2-8 まとめ / p52 (0058.jp2)
  13. 第2章の参考文献 / p53 (0059.jp2)
  14. 第3章 液晶セルにおける配向秩序度 / p54 (0060.jp2)
  15. 3-1 まえがき / p54 (0060.jp2)
  16. 3-2 一軸性液晶の配向秩序度 / p55 (0061.jp2)
  17. 3-3 表面近傍に薄い液晶層の平均配向秩序度の測定 / p60 (0066.jp2)
  18. 3-4 バルクから表面までの配向秩序度の検討 / p71 (0077.jp2)
  19. 3-5 配向秩序度分布の測定 / p81 (0087.jp2)
  20. 3-6 結果の考察 / p95 (0101.jp2)
  21. 3-7 まとめ / p100 (0106.jp2)
  22. 付録 / p102 (0108.jp2)
  23. 第3章の参考文献 / p103 (0109.jp2)
  24. 第4章 表面配向力と表面配向秩序度の関係 / p105 (0111.jp2)
  25. 4-1 まえがき / p105 (0111.jp2)
  26. 4-2 表面アンカリングの概念 / p105 (0111.jp2)
  27. 4-3 配向秩序度の分布を考慮した表面アンカリングの考え方 / p111 (0117.jp2)
  28. 4-4 実験結果と計算結果の比較 / p113 (0119.jp2)
  29. 4-5 メモリー配向における表面配向力及び表面配向秩序度 / p114 (0120.jp2)
  30. 4-6 まとめ / p119 (0125.jp2)
  31. 第4章の参考文献 / p123 (0129.jp2)
  32. 第5章 結論 / p124 (0130.jp2)
  33. 謝辞 / p126 (0132.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000170618
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000170892
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000334932
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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