3C-SiC/Siの初期ヘテロ成長機構の研究

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著者

    • 小杉, 亮治 コスギ, リョウジ

書誌事項

タイトル

3C-SiC/Siの初期ヘテロ成長機構の研究

著者名

小杉, 亮治

著者別名

コスギ, リョウジ

学位授与大学

東北大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第6862号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

課程

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第一章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 1.1 研究背景 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.2 研究の概要 / p17 (0023.jp2)
  5. 参考文献 / p20 (0026.jp2)
  6. 第二章 実験方法と実験装置 / p22 (0028.jp2)
  7. 2.1 光電子回折法 / p22 (0028.jp2)
  8. 2.2 反射高速電子回折-オージェ電子分光(RHEED-AES)法 / p37 (0043.jp2)
  9. 2.3 走査トンネル顕微鏡(STM) / p40 (0046.jp2)
  10. 2.4 試料と実験手順 / p45 (0051.jp2)
  11. 参考文献 / p49 (0055.jp2)
  12. 第三章 Si(001)表面の炭化におけるc(4×4)表面と[化学式]合金層形成過程 / p51 (0057.jp2)
  13. 3.1 緒言 / p51 (0057.jp2)
  14. 3.2 炭化過程のLEED,XPS観察 / p54 (0060.jp2)
  15. 3.3 Si(001)c(4×4)-C表面のSTM,XPD,SRPD観察 / p57 (0063.jp2)
  16. 3.4 考察 / p74 (0080.jp2)
  17. 3.5 結語 / p85 (0090.jp2)
  18. 参考文献 / p88 (0092.jp2)
  19. 付録 / p90 (0094.jp2)
  20. 第四章 Si(001)表面の炭化における3C-SiCの核形成機構と成長過程 / p93 (0097.jp2)
  21. 4.1 緒言 / p93 (0097.jp2)
  22. 4.2 RHEED-AESによる炭化過程の高温「その場」観察 / p95 (0098.jp2)
  23. 4.3 STMによる炭化表面の形態観察 / p114 (0117.jp2)
  24. 4.4 考察 / p124 (0127.jp2)
  25. 4.5 結語 / p134 (0137.jp2)
  26. 参考文献 / p136 (0139.jp2)
  27. 第五章 Si(001)表面の炭化過程へのゲルマニウムの影響 / p137 (0140.jp2)
  28. 5.1 緒言 / p137 (0140.jp2)
  29. 5.2 Ge蒸着Si表面の炭化過程のXPS,XPD観察 / p139 (0142.jp2)
  30. 5.3 考察 / p153 (0156.jp2)
  31. 5.4 結語 / p155 (0158.jp2)
  32. 参考文献 / p157 (0160.jp2)
  33. 第六章 結論 / p158 (0161.jp2)
  34. 謝辞 / p162 (0165.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000170881
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000171155
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000335195
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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