高性能半導体プラズマエッチングプロセスの研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
高性能半導体プラズマエッチングプロセスの研究
- 著者名
-
米田, 博之
- 著者別名
-
コメダ, ヒロユキ
- 学位授与大学
-
東北大学
- 取得学位
-
博士(工学)
- 学位授与番号
-
甲第6914号
- 学位授与年月日
-
1999-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 1.1 半導体技術の進展 / p1 (0007.jp2)
- 1.2 21世紀の半導体技術の方向 / p1 (0007.jp2)
- 1.3 半導体プラズマエッチング技術の重要性と今後の要求 / p5 (0011.jp2)
- 1.4 半導体プラズマエッチング技術の現状の問題点 / p7 (0013.jp2)
- 1.5 本研究の目的と本論文の構成 / p9 (0015.jp2)
- 参考文献 / p10 (0016.jp2)
- 第2章 高選択比を得るフロロカーボン膜の形成メカニズム / p13 (0019.jp2)
- 2.1 はじめに / p13 (0019.jp2)
- 2.2 実験装置 / p16 (0022.jp2)
- 2.3 実験方法 / p17 (0023.jp2)
- 2.4 CO､C₄F₈添加と選択性の関係 / p18 (0024.jp2)
- 2.5 フロロカーボン膜堆積に及ぼすCO､C₄F₈添加の影響 / p20 (0026.jp2)
- 2.6 フロロカーボン膜形成メカニズム / p27 (0033.jp2)
- 2.7 高選択性とダメージのトレードオフ / p32 (0038.jp2)
- 2.8 まとめ / p35 (0041.jp2)
- 参考文献 / p37 (0043.jp2)
- 第3章 高アスペクト比ホール加工におけるラジカル輸送とマイクロローディング効果低減メカニズム / p39 (0045.jp2)
- 3.1 はじめに / p39 (0045.jp2)
- 3.2 高選択比コンタクトホールエッチングにおけるマイクロローディング効果発現 / p41 (0047.jp2)
- 3.3 高アスペクト比ホール内におけるラジカル輸送 / p43 (0049.jp2)
- 3.4 まとめ / p51 (0057.jp2)
- 参考文献 / p52 (0058.jp2)
- 第4章 Si基板へのダメージ誘起とコンタクト抵抗劣化メカニズム / p54 (0060.jp2)
- 4.1 はじめに / p54 (0060.jp2)
- 4.2 エッチングダメージによるコンタクト抵抗劣化 / p56 (0062.jp2)
- 4.3 ダメージ層の解析 / p58 (0064.jp2)
- 4.4 コンタクト抵抗劣化メカニズム / p69 (0075.jp2)
- 4.5 イオンフラックスとコンタクト抵抗の関係 / p76 (0082.jp2)
- 4.6 まとめ / p77 (0083.jp2)
- 参考文献 / p78 (0084.jp2)
- 第5章 Balanced Electron Driftプラズマソースによる高性能半導体プラズマエッチングプロセス / p80 (0086.jp2)
- 5.1 はじめに / p80 (0086.jp2)
- 5.2 Balanced Electron Driftプラズマソース / p82 (0088.jp2)
- 5.3 上部電極への高周波電力印加効果 / p84 (0090.jp2)
- 5.4 Xe添加によるプラズマの高密度化と解離抑制 / p87 (0093.jp2)
- 5.5 Xe添加による超微細コンタクトホールのエッチング / p94 (0100.jp2)
- 5.6 Xe添加によるプラズマ誘起ダメージフリーエッチング / p96 (0102.jp2)
- 5.7 低コストで生産性の高い超微細コンタクト形成技術 / p100 (0106.jp2)
- 5.8 まとめ / p102 (0108.jp2)
- 参考文献 / p104 (0110.jp2)
- 第6章 結論 / p105 (0111.jp2)
- 謝辞 / p108 (0114.jp2)
- 本研究に関する発表 / p109 (0115.jp2)