光通信用半導体レーザの電流閉じ込め構造に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
光通信用半導体レーザの電流閉じ込め構造に関する研究
- 著者名
-
西, 洋
- 著者別名
-
ニシ, ヒロシ
- 学位授与大学
-
東北大学
- 取得学位
-
博士(工学)
- 学位授与番号
-
甲第6925号
- 学位授与年月日
-
1999-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
- 参考文献 / p4 (0010.jp2)
- 第2章 光通信用レーザの電流閉じ込め構造 / p5 (0011.jp2)
- 2.1 緒言 / p5 (0011.jp2)
- 2.2 横方向電流閉じ込め / p5 (0011.jp2)
- 2.3 基本式 / p7 (0013.jp2)
- 2.4 しきい特性 / p11 (0017.jp2)
- 2.5 横モード特性 / p12 (0018.jp2)
- 2.6 変調特性 / p17 (0023.jp2)
- 2.7 軸モード特性 / p19 (0025.jp2)
- 2.8 結言 / p21 (0027.jp2)
- 参考文献 / p23 (0029.jp2)
- 第3章 0.85μm帯GaAlAs/GaAs DHレーザ / p25 (0031.jp2)
- 3.1 緒言 / p25 (0031.jp2)
- 3.2 硫黄拡散によるDHレーザ(ISP)の構造 / p25 (0031.jp2)
- 3.3 GaAlAsおよびGaAs/GaAlAsヘテロ接合への硫黄拡散 / p27 (0033.jp2)
- 3.4 硫黄拡散によるレーザの製作 / p34 (0040.jp2)
- 3.5 静特性 / p37 (0043.jp2)
- 3.6 動特性 / p43 (0049.jp2)
- 3.7 寿命特性 / p49 (0055.jp2)
- 3.8 結言 / p49 (0055.jp2)
- 参考文献 / p51 (0057.jp2)
- 第4章 1.3μm帯InGaAsP/InP DHレーザ(I)-特性の特徴と問題- / p53 (0059.jp2)
- 4.1 緒言 / p53 (0059.jp2)
- 4.2 利得導波型レーザの構造と製作 / p53 (0059.jp2)
- 4.3 レーザ･パラメータの導出 / p55 (0061.jp2)
- 4.4 しきい特性の解析と実験結果の比較 / p58 (0064.jp2)
- 4.5 しきい電流の温度依存性 / p62 (0068.jp2)
- 4.6 寿命特性 / p63 (0069.jp2)
- 4.7 結言 / p64 (0070.jp2)
- 参考文献 / p65 (0071.jp2)
- 第5章 1.3μm帯InGaAsP/InP DHレーザ(II)-屈折率導波構造- / p67 (0073.jp2)
- 5.1 緒言 / p67 (0073.jp2)
- 5.2 屈折率導波型レーザ(SAS)の構造 / p68 (0074.jp2)
- 5.3 横モード閉じ込めの原理 / p69 (0075.jp2)
- 5.4 発振特性の解析と設計指針 / p72 (0078.jp2)
- 5.5 レーザの製作と発振特性 / p73 (0079.jp2)
- 5.6 ストライプ幅7μmレーザの発振特性 / p80 (0086.jp2)
- 5.7 寿命特性 / p88 (0094.jp2)
- 5.8 実用例 / p90 (0096.jp2)
- 5.9 結言 / p95 (0101.jp2)
- 参考文献 / p97 (0103.jp2)
- 第6章 結論 / p99 (0105.jp2)
- 付録〔A〕ヘテロ接合層でのキャリア濃度分布の解析 / p103 (0109.jp2)
- 付録〔B〕半導体レーザのしきい特性の解析 / p107 (0113.jp2)
- 謝辞 / p111 (0117.jp2)
- 研究業績 / p113 (0119.jp2)
- 〔I〕発表論文 / p113 (0119.jp2)
- 〔II〕国際会議 / p115 (0121.jp2)
- 〔III〕紀要 / p116 (0122.jp2)
- 〔IV〕国内会議 / p117 (0123.jp2)
- Citation / p121 (0127.jp2)
- 特許出願 / p123 (0129.jp2)