走査型容量顕微鏡の開発と半導体ナノスケール評価への応用
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Author
Bibliographic Information
- Title
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走査型容量顕微鏡の開発と半導体ナノスケール評価への応用
- Author
-
富家, 英登
- Author(Another name)
-
トミイエ, ヒデト
- University
-
東北大学
- Types of degree
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博士(工学)
- Grant ID
-
甲第6933号
- Degree year
-
1999-03-25
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0011.jp2)
- 1.1 はじめに / p1 (0011.jp2)
- 1.2 走査型プローブ顕微鏡 / p4 (0014.jp2)
- 1.3 背景 / p7 (0017.jp2)
- 1.4 目的 / p9 (0019.jp2)
- 1.5 論文内容 / p11 (0021.jp2)
- 参考文献 / p13 (0023.jp2)
- 第2章 走査型容量顕微鏡(SCaM)の開発 / p15 (0025.jp2)
- 2.1 はじめに / p15 (0025.jp2)
- 2.2 走査型容量顕微鏡の原理 / p16 (0026.jp2)
- 2.3 高感度容量検出の実現 / p25 (0035.jp2)
- 2.4 高分解能化 / p34 (0044.jp2)
- 2.5 まとめ / p41 (0051.jp2)
- 参考文献 / p43 (0053.jp2)
- 第3章 SiO₂/Siの評価 / p45 (0055.jp2)
- 3.1 はじめに / p45 (0055.jp2)
- 3.2 キャリアの注入方法 / p46 (0056.jp2)
- 3.3 多数キャリアの注入 / p49 (0059.jp2)
- 3.4 少数キャリアの注入 / p57 (0067.jp2)
- 3.5 SCaM分解能評価 / p64 (0074.jp2)
- 3.6 まとめ / p66 (0076.jp2)
- 参考文献 / p67 (0077.jp2)
- 第4章 SiO₂/Ion-Implanted Siの評価 / p69 (0079.jp2)
- 4.1 はじめに / p69 (0079.jp2)
- 4.2 Lateral p-n接合の測定 / p71 (0081.jp2)
- 4.3 キャパシタンス像の解析 / p75 (0085.jp2)
- 4.4 計算機シミュレーションによる考察 / p89 (0099.jp2)
- 4.5 実デバイスの評価 / p102 (0112.jp2)
- 4.6 まとめ / p110 (0120.jp2)
- 参考文献 / p111 (0121.jp2)
- 第5章 総括 / p113 (0123.jp2)
- 謝辞 / p117 (0127.jp2)
- 補遺A / p119 (0129.jp2)
- A.1 測定回路と顕微鏡本体 / p119 (0129.jp2)
- A.2 筆者の走査型容量顕微鏡に関する論文 / p121 (0131.jp2)
