高濃度炭素ドープGaAs系材料の劣化機構に関する研究

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著者

    • 伏見, 浩 フシミ, ヒロシ

書誌事項

タイトル

高濃度炭素ドープGaAs系材料の劣化機構に関する研究

著者名

伏見, 浩

著者別名

フシミ, ヒロシ

学位授与大学

慶応義塾大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

乙第3258号

学位授与年月日

1999-03-04

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. 目次 / p1 (0005.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0008.jp2)
  4. 1.1 本研究の背景 / p1 (0008.jp2)
  5. 1.2 本研究の目的と概要 / p3 (0009.jp2)
  6. 参考文献 / p5 (0010.jp2)
  7. 第2章 従来の研究-化合物半導体における欠陥の移動・反応・構造と素子劣化- / p7 (0011.jp2)
  8. 2.1 欠陥の発生-熱的に誘起される欠陥の挙動- / p7 (0011.jp2)
  9. 2.2 欠陥の反応および移動-電子励起により誘起される欠陥- / p24 (0020.jp2)
  10. 2.3 少数キャリア注入型デバイスの通電劣化現象 / p31 (0023.jp2)
  11. 参考文献 / p42 (0029.jp2)
  12. 第3章 実験方法 / p46 (0031.jp2)
  13. 3.1 まえがき / p46 (0031.jp2)
  14. 3.2 試料 / p46 (0031.jp2)
  15. 3.3 熱処理 / p47 (0031.jp2)
  16. 3.4 素子の作製 / p48 (0032.jp2)
  17. 3.5 結晶評価法 / p50 (0033.jp2)
  18. 第4章 水素関連欠陥による劣化 / p55 (0035.jp2)
  19. 4.1 まえがき / p55 (0035.jp2)
  20. 4.2 熱処理下で誘起される欠陥による劣化 / p56 (0036.jp2)
  21. 4.3 電子系の励起下で誘起される欠陥による劣化 / p69 (0042.jp2)
  22. 4.4 第4章のまとめ / p84 (0050.jp2)
  23. 参考文献 / p85 (0050.jp2)
  24. 第5章 炭素関連欠陥による劣化 / p88 (0052.jp2)
  25. 5.1 まえがき / p88 (0052.jp2)
  26. 5.2 熱処理下で誘起される欠陥による劣化 / p89 (0052.jp2)
  27. 5.3 電子系の励起下で誘起される欠陥による劣化 / p113 (0064.jp2)
  28. 5.4 第5章のまとめ / p128 (0072.jp2)
  29. 参考文献 / p129 (0072.jp2)
  30. 第6章 半導体レーザの劣化に対する本モデルの適用 / p131 (0073.jp2)
  31. 6.1 まえがき / p131 (0073.jp2)
  32. 6.2 不純物に関係した欠陥によるLDの劣化 / p131 (0073.jp2)
  33. 6.3 通電劣化とフェルミ準位効果 / p135 (0075.jp2)
  34. 6.4 第6章のまとめ / p137 (0076.jp2)
  35. 参考文献 / p137 (0076.jp2)
  36. 第7章 結論 / p138 (0077.jp2)
  37. 参考文献 / p140 (0078.jp2)
  38. 謝辞 / p141 (0078.jp2)
  39. 研究業績リスト / p143 (0079.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000171514
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000171788
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000335828
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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