超音速フリージェットによるシリコンカーバイド薄膜の形成に関する基礎的研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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超音速フリージェットによるシリコンカーバイド薄膜の形成に関する基礎的研究
- 著者名
-
生駒, 嘉史
- 著者別名
-
イコマ, ヨシフミ
- 学位授与大学
-
九州大学
- 取得学位
-
博士(工学)
- 学位授与番号
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甲第4712号
- 学位授与年月日
-
1999-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 SiCの物理･化学的性質と結晶成長 / p5 (0009.jp2)
- 1.3 3C-SiC/Siヘテロ構造の性質と形成時の問題点 / p13 (0017.jp2)
- 1.4 超音速フリージェットの性質と薄膜形成への応用 / p21 (0025.jp2)
- 1.5 本研究の目的 / p30 (0034.jp2)
- 1.6 論文の構成 / p30 (0034.jp2)
- 第1章参考文献 / p31 (0035.jp2)
- 第2章 Si(CH₃)₄-Si₃H₈混合ガス超音速フリージェットによる3C-SiC/Si(100)ヘテロエピタキシャル成長に関する研究 / p35 (0039.jp2)
- 2.1 序論 / p35 (0039.jp2)
- 2.2 実験 / p36 (0040.jp2)
- 2.3 実験結果および考察 / p40 (0044.jp2)
- 2.4 結論 / p50 (0054.jp2)
- 第2章参考文献 / p51 (0055.jp2)
- 第3章 CH₃SiH₃超音速フリージェットによる3C-SiC/Si(100)ヘテロエピタキシャル成長に関する研究 / p52 (0056.jp2)
- 3.1 序論 / p52 (0056.jp2)
- 3.2 実験方法 / p54 (0058.jp2)
- 3.3 実験結果および考察 / p55 (0059.jp2)
- 3.4 結論 / p69 (0073.jp2)
- 第3章参考文献 / p70 (0074.jp2)
- 第4章 Si/3C-SiC/Si(100)ヘテロ構造の形成に関する研究 / p71 (0075.jp2)
- 4.1 序論 / p71 (0075.jp2)
- 4.2 実験方法 / p72 (0076.jp2)
- 4.3 実験結果および考察 / p74 (0078.jp2)
- 4.4 結論 / p87 (0091.jp2)
- 第4章参考文献 / p88 (0092.jp2)
- 第5章 3C-SiC/Si/3C-SiC/Si(100)ヘテロ構造と共鳴トンネルダイオードの形成 / p89 (0093.jp2)
- 5.1 序論 / p89 (0093.jp2)
- 5.2 実験方法 / p90 (0094.jp2)
- 5.3 実験結果および考察 / p92 (0096.jp2)
- 5.4 結論 / p106 (0110.jp2)
- 第5章参考文献 / p107 (0111.jp2)
- 第6章 結論 / p108 (0112.jp2)
- 謝辞 / p110 (0114.jp2)
