表面ゾル-ゲル法を用いる分子鋳型薄膜の作成とその分子認識特性

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著者

    • 李, 丞祐 リー, スンウー

書誌事項

タイトル

表面ゾル-ゲル法を用いる分子鋳型薄膜の作成とその分子認識特性

著者名

李, 丞祐

著者別名

リー, スンウー

学位授与大学

九州大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第4733号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第一章 / p1 (0007.jp2)
  3. 緒言 ゲル超薄膜から分子認識へ。表面ゾル-ゲル法の新しいアプローチ / p1 (0007.jp2)
  4. 1-1 高次構造の構築を目指す分子認識化学 / p1 (0007.jp2)
  5. 1-2 鋳型分子に相補的な“型"を作り出す分子刷り込み法 / p2 (0008.jp2)
  6. 1-3 無機材料を利用した分子刷り込み / p10 (0016.jp2)
  7. 1-4 ゾル-ゲル法による機能性材料の開発と薄膜化への展開 / p11 (0017.jp2)
  8. 1-5 分子レベルでの組成・組織制御を目指す薄膜 / p14 (0020.jp2)
  9. 1-6 分子レベルの厚みで制御可能な表面ゾル-ゲル法 / p15 (0021.jp2)
  10. 1-7 表面ゾル-ゲル法の分子刷り込みへの展開 / p17 (0023.jp2)
  11. 1-8 本論文の内容 / p18 (0024.jp2)
  12. 1-9 参考文献 / p20 (0026.jp2)
  13. 第二章 / p22 (0028.jp2)
  14. 表面ゾル-ゲル法を用いた有機カルボン酸誘導体の鋳型薄膜の作成と認識特性 / p22 (0028.jp2)
  15. 2-1 序 / p22 (0028.jp2)
  16. 2-2 鋳型分子及びゲストの合成 / p25 (0031.jp2)
  17. 2-3 表面ゾル-ゲル法による吸着操作と吸着量の評価 / p29 (0035.jp2)
  18. 2-4 表面ゾル-ゲル法によるC₃AzoC0₂H鋳型薄膜の作成 / p31 (0037.jp2)
  19. 2-5 C₃AzoC0₂Hを鋳型としたTiO₂-SiO₂混合ゲル薄膜の作成 / p47 (0053.jp2)
  20. 2-6 アントラセンカルボン酸誘導体を用いた鋳型薄膜の作成 / p55 (0061.jp2)
  21. 2-7 表面ゾル-ゲル法による酸化物ゲル鋳型薄膜の構造 / p60 (0066.jp2)
  22. 2-8 結論 / p62 (0068.jp2)
  23. 2-9 参考文献 / p63 (0069.jp2)
  24. 第三章 / p64 (0070.jp2)
  25. 有機―無機交互積層法を用いた鋳型薄膜の作成と認識特性 / p64 (0070.jp2)
  26. 3-1 序 / p64 (0070.jp2)
  27. 3-2 交互積層によるポルフィリン鋳型のTiO₂ゲル薄膜の作成 / p67 (0073.jp2)
  28. 3-3 ポルフィリン鋳型のTiO₂ゲル/ポリマー複合膜の作成 / p78 (0084.jp2)
  29. 3-4 交互積層法により作成した鋳型薄膜の構造 / p87 (0093.jp2)
  30. 3-5 結論 / p91 (0097.jp2)
  31. 3-6 参考文献 / p93 (0099.jp2)
  32. 第四章 / p94 (0100.jp2)
  33. 表面ゾル-ゲル法により作成した分子刷り込み膜によるアミノ酸誘導体の認識 / p94 (0100.jp2)
  34. 4-1 序 / p94 (0100.jp2)
  35. 4-2 アミノ酸誘導体のTiO₂ゲル鋳型薄膜の作成 / p96 (0102.jp2)
  36. 4-3 水素結合部位を導入したTiO₂ゲル鋳型薄膜の作成 / p103 (0109.jp2)
  37. 4-4 結論 / p116 (0122.jp2)
  38. 4-5 参考文献 / p117 (0123.jp2)
  39. 第五章 / p118 (0124.jp2)
  40. TiO₂ゲル鋳型薄膜による光学異性体の識別 / p118 (0124.jp2)
  41. 5-1 序 / p118 (0124.jp2)
  42. 5-2 アミノ酸誘導体のニナンチオ選択性を有するTiO₂ゲル薄膜 / p121 (0127.jp2)
  43. 5-3 糖のエナンチオ選択性を有するTiO₂ゲル薄膜の作成 / p131 (0137.jp2)
  44. 5-4 種々の光学異性体を鋳型としたTiO₂ゲル薄膜の作成 / p140 (0146.jp2)
  45. 5-5 結論 / p145 (0151.jp2)
  46. 5-6 参考文献 / p146 (0152.jp2)
  47. 第六章 / p147 (0153.jp2)
  48. 包接性ホストを有する金属酸化物ゲルによる分子認識 / p147 (0153.jp2)
  49. 6-1 序 / p147 (0153.jp2)
  50. 6-2 酸化物表面上のC₆₀分子の吸着と交互積層 / p150 (0156.jp2)
  51. 6-3 金属酸化物/C₆₀交互積層膜の電気化学的性質 / p155 (0161.jp2)
  52. 6-4 酸化物ゲル中へのカリックス[8]アレーン導入とC₆₀の認識 / p157 (0163.jp2)
  53. 6-5 結論 / p160 (0166.jp2)
  54. 6-6 参考文献 / p161 (0167.jp2)
  55. 第七章 / p162 (0168.jp2)
  56. 結言 / p162 (0168.jp2)
  57. 7-1 本研究の成果 / p162 (0168.jp2)
  58. 7-2 今後の展望 / p164 (0170.jp2)
  59. 謝辞 / (0171.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000171709
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000171983
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000336023
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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