誘導結合型水素プラズマによりシリコン酸化膜に導入される損傷に関する基礎的研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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誘導結合型水素プラズマによりシリコン酸化膜に導入される損傷に関する基礎的研究
- 著者名
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池田, 晃裕
- 著者別名
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イケダ, アキヒロ
- 学位授与大学
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九州大学
- 取得学位
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博士(工学)
- 学位授与番号
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甲第4805号
- 学位授与年月日
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1999-03-25
注記・抄録
博士論文
第1章 序論 第2章 水素プラズマのプラズマパラメータ評価 第3章 水素プラズマによるレジスト､SiO_2のエッチングレート､及びSi基板へのH侵入の評価 第4章 水素プラズマの照射照射がシリコン酸化膜の電気特性に与える影響 5章 結論
主1-参1
システム情報_電子デバイス工学
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 水素プラズマのLSI洗浄プロセスへの応用 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 高密度水素プラズマの照射によるデバイスへのダメージの導入 / p4 (0008.jp2)
- 1.3 本研究の目的 / p5 (0009.jp2)
- 第2章 水素プラズマのプラズマパラメータ評価 / p11 (0015.jp2)
- 2.1 この章の目的 / p11 (0015.jp2)
- 2.2 ICPプラズマ装置の構成 / p11 (0015.jp2)
- 2.3 プラズマ測定装置 / p15 (0019.jp2)
- 2.4 測定結果 / p18 (0022.jp2)
- 2.5 LSI洗浄装置としてのICP水素プラズマの特徴 / p34 (0038.jp2)
- 2.6 2章のまとめ / p39 (0043.jp2)
- 第3章 水素プラズマによるレジスト､SiO₂のエッチングレート､及びSi基板へのH侵入の評価 / p42 (0046.jp2)
- 3.1 この章の目的 / p42 (0046.jp2)
- 3.2 実験手順 / p43 (0047.jp2)
- 3.3 測定結果 / p44 (0048.jp2)
- 3.4 考察 / p55 (0059.jp2)
- 3.5 3章のまとめ / p58 (0062.jp2)
- 第4章 水素プラズマの照射照射がシリコン酸化膜の電気特性に与える影響 / p61 (0065.jp2)
- 4.1 この章の目的 / p61 (0065.jp2)
- 4.2 評価試料の形成と評価方法 / p61 (0065.jp2)
- 4.3 電気特性の評価方法及び解析理論 / p66 (0070.jp2)
- 4.4 測定結果 / p75 (0079.jp2)
- 4.5 考察 / p99 (0103.jp2)
- 4.6 4章のまとめ / p105 (0109.jp2)
- 5章 結論 / p110 (0114.jp2)