CoSi2ゲートMOS形トンネル電子放出素子の作製に関する研究

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著者

    • 張, 依群 ジャン, イチュン

書誌事項

タイトル

CoSi2ゲートMOS形トンネル電子放出素子の作製に関する研究

著者名

張, 依群

著者別名

ジャン, イチュン

学位授与大学

九州大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第4806号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 研究の背景と目的 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 本論文の要旨と構成 / p4 (0008.jp2)
  5. 第2章 高品質トンネル酸化膜の形成と特性評価 / p5 (0009.jp2)
  6. 2.1 緒言 / p5 (0009.jp2)
  7. 2.2 理論 / p7 (0011.jp2)
  8. 2.3 膜厚100Å以下のシリコン酸化膜の形成プロセス / p18 (0022.jp2)
  9. 2.4 F-Nトンネル電流特性のプロセス依存性 / p20 (0024.jp2)
  10. 2.5 低温形成酸化膜のSi-SiO₂界面遷移領域 / p30 (0034.jp2)
  11. 2.6 遷移領域減少機構のモデル / p35 (0039.jp2)
  12. 2.7 絶縁破壊特性のプロセス依存性 / p37 (0041.jp2)
  13. 2.8 結言 / p45 (0049.jp2)
  14. 第3章 薄い酸化膜上への導電膜形成 / p46 (0050.jp2)
  15. 3.1 緒言 / p46 (0050.jp2)
  16. 3.2 MBE成膜装置 / p48 (0052.jp2)
  17. 3.3 SiO₂上へのSiの超高真空成膜と導電特性制御 / p52 (0056.jp2)
  18. 3.4 ポリサイドゲートMOS構造の電流-電圧特性 / p58 (0062.jp2)
  19. 3.5 SiO₂上へのCoSi₂超高真空成膜と導電特性制御 / p61 (0065.jp2)
  20. 3.6 結言 / p77 (0081.jp2)
  21. 第4章 MOS形トンネル電子放出素子とその形成プロセス / p78 (0082.jp2)
  22. 4.1 緒言 / p78 (0082.jp2)
  23. 4.2 MOS形トンネル電子放出素子の電子放出原理 / p79 (0083.jp2)
  24. 4.3 MOS形トンネル電子放出素子の製作プロセス / p81 (0085.jp2)
  25. 4.4 結言 / p87 (0091.jp2)
  26. 第5章 MOS形トンネル電子放出素子の特性評価 / p88 (0092.jp2)
  27. 5.1 緒言 / p88 (0092.jp2)
  28. 5.2 測定装置 / p90 (0094.jp2)
  29. 5.3 電流-電圧特性 / p94 (0098.jp2)
  30. 5.4 経時変化特性 / p97 (0101.jp2)
  31. 5.5 電子放出効率特性 / p99 (0103.jp2)
  32. 5.6 結言 / p101 (0105.jp2)
  33. 第6章 結論 / p102 (0106.jp2)
  34. 謝辞 / p106 (0110.jp2)
  35. 参考文献 / p107 (0111.jp2)
  36. 付録A CoゲートMOSトンネル構造の電流-電圧特性 / p110 (0114.jp2)
  37. 付録B シリサイド化に伴う体積の変化率 / p113 (0117.jp2)
  38. 付録C TEOS SiO₂膜の素子分離絶縁膜としての特性評価 / p115 (0119.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000171782
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000172056
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000336096
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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