CoSi2ゲートMOS形トンネル電子放出素子の作製に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
-
CoSi2ゲートMOS形トンネル電子放出素子の作製に関する研究
- Author
-
張, 依群
- Author(Another name)
-
ジャン, イチュン
- University
-
九州大学
- Types of degree
-
博士(工学)
- Grant ID
-
甲第4806号
- Degree year
-
1999-03-25
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 研究の背景と目的 / p1 (0005.jp2)
- 1.2 本論文の要旨と構成 / p4 (0008.jp2)
- 第2章 高品質トンネル酸化膜の形成と特性評価 / p5 (0009.jp2)
- 2.1 緒言 / p5 (0009.jp2)
- 2.2 理論 / p7 (0011.jp2)
- 2.3 膜厚100Å以下のシリコン酸化膜の形成プロセス / p18 (0022.jp2)
- 2.4 F-Nトンネル電流特性のプロセス依存性 / p20 (0024.jp2)
- 2.5 低温形成酸化膜のSi-SiO₂界面遷移領域 / p30 (0034.jp2)
- 2.6 遷移領域減少機構のモデル / p35 (0039.jp2)
- 2.7 絶縁破壊特性のプロセス依存性 / p37 (0041.jp2)
- 2.8 結言 / p45 (0049.jp2)
- 第3章 薄い酸化膜上への導電膜形成 / p46 (0050.jp2)
- 3.1 緒言 / p46 (0050.jp2)
- 3.2 MBE成膜装置 / p48 (0052.jp2)
- 3.3 SiO₂上へのSiの超高真空成膜と導電特性制御 / p52 (0056.jp2)
- 3.4 ポリサイドゲートMOS構造の電流-電圧特性 / p58 (0062.jp2)
- 3.5 SiO₂上へのCoSi₂超高真空成膜と導電特性制御 / p61 (0065.jp2)
- 3.6 結言 / p77 (0081.jp2)
- 第4章 MOS形トンネル電子放出素子とその形成プロセス / p78 (0082.jp2)
- 4.1 緒言 / p78 (0082.jp2)
- 4.2 MOS形トンネル電子放出素子の電子放出原理 / p79 (0083.jp2)
- 4.3 MOS形トンネル電子放出素子の製作プロセス / p81 (0085.jp2)
- 4.4 結言 / p87 (0091.jp2)
- 第5章 MOS形トンネル電子放出素子の特性評価 / p88 (0092.jp2)
- 5.1 緒言 / p88 (0092.jp2)
- 5.2 測定装置 / p90 (0094.jp2)
- 5.3 電流-電圧特性 / p94 (0098.jp2)
- 5.4 経時変化特性 / p97 (0101.jp2)
- 5.5 電子放出効率特性 / p99 (0103.jp2)
- 5.6 結言 / p101 (0105.jp2)
- 第6章 結論 / p102 (0106.jp2)
- 謝辞 / p106 (0110.jp2)
- 参考文献 / p107 (0111.jp2)
- 付録A CoゲートMOSトンネル構造の電流-電圧特性 / p110 (0114.jp2)
- 付録B シリサイド化に伴う体積の変化率 / p113 (0117.jp2)
- 付録C TEOS SiO₂膜の素子分離絶縁膜としての特性評価 / p115 (0119.jp2)