Ⅲ-Ⅴ族化合物ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける非平衡電子輸送の解析に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
Ⅲ-Ⅴ族化合物ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける非平衡電子輸送の解析に関する研究
- 著者名
-
中島, 裕樹
- 著者別名
-
ナカジマ, ヒロキ
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
博士(工学)
- 学位授与番号
-
乙第7569号
- 学位授与年月日
-
1998-07-28
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- §1.1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
- §1.2 HBTの高周波特性と素子内遅延時間 / p2 (0005.jp2)
- §1.3 研究の目的 / p8 (0008.jp2)
- 参考文献 / p10 (0009.jp2)
- 第2章 電子密度変調及び電子速度変調を考慮したHBTコレクタ遅延時間の一般解析式 / p11 (0010.jp2)
- §2.1 序 / p11 (0010.jp2)
- §2.2 誘導電流の位相遅延モデル / p12 (0010.jp2)
- §2.3 電荷制御モデル / p21 (0015.jp2)
- §2.4 まとめ / p29 (0019.jp2)
- 参考文献 / p30 (0019.jp2)
- 第3章 AlGaAs/GaAs Ballistic Collection Transistorにおけるコレクタ内電子速度オーバーシュート効果と空間電荷効果のモンテカルロ解析 / p31 (0020.jp2)
- §3.1 序 / p31 (0020.jp2)
- §3.2 デバイス層構造及びシミュレーションモデル / p32 (0020.jp2)
- §3.3 シミュレーション結果及び考察 / p33 (0021.jp2)
- §3.4 まとめ / p44 (0026.jp2)
- 参考文献 / p45 (0027.jp2)
- 第4章 InAlGaAs/InGaAs HBT内非平衡電子輸送のモンテカルロ解析 / p47 (0028.jp2)
- §4.1 序 / p47 (0028.jp2)
- §4.2 デバイス層構造及びシミュレーションモデル / p48 (0028.jp2)
- §4.3 シミュレーション結果及び考察 / p50 (0029.jp2)
- §4.4 まとめ / p61 (0035.jp2)
- 参考文献 / p63 (0036.jp2)
- 第5章 InP系HBTベース内非平衡電子輸送の連続方程式に基づく解析理論 / p65 (0037.jp2)
- §5.1 序 / p65 (0037.jp2)
- §5.2 ベース内電子輸送に対する連続方程式 / p66 (0037.jp2)
- §5.3 直流解析 / p71 (0040.jp2)
- §5.4 交流解析 / p78 (0043.jp2)
- §5.5 まとめ / p86 (0047.jp2)
- 参考文献 / p88 (0048.jp2)
- 第6章 結論 / p89 (0049.jp2)
- 参考文献 / p92 (0050.jp2)
- 補遺 I モンテカルロ法 / p93 (0051.jp2)
- §AI.1 原理及び手順 / p93 (0051.jp2)
- §AI.2 高濃度p型半導体における電子散乱機構 / p97 (0053.jp2)
- §AI.3 物理パラメータ / p100 (0054.jp2)
- 参考文献 / p103 (0056.jp2)
- 補遺II 微細化InP/InGaAs HBT作製技術と素子特性 / p105 (0057.jp2)
- §AII.1 序 / p105 (0057.jp2)
- §AII.2 素子構造及び作製工程 / p105 (0057.jp2)
- §AII.3 素子特性 / p107 (0058.jp2)
- §AII.4 まとめ / p113 (0061.jp2)
- 参考文献 / p115 (0062.jp2)
- 謝辞 / p117 (0063.jp2)
- 関連研究業績 / p118 (0063.jp2)