スパッタ法による超LSI多層配線用Al系合金薄膜の形成技術に関する研究

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著者

    • 鴨志田, 和良 カモシダ, カズヨシ

書誌事項

タイトル

スパッタ法による超LSI多層配線用Al系合金薄膜の形成技術に関する研究

著者名

鴨志田, 和良

著者別名

カモシダ, カズヨシ

学位授与大学

北海道大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

乙第5459号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 1.1 研究の主旨 / p1 (0004.jp2)
  4. 1.2 研究の背景 / p1 (0004.jp2)
  5. 1.3 従来技術の問題点と本研究の目的 / p3 (0005.jp2)
  6. 1.4 論文の構成 / p5 (0006.jp2)
  7. 参考文献 / p8 (0008.jp2)
  8. 第2章 Al薄膜の平坦化法 / p10 (0009.jp2)
  9. 2.1 はじめに / p10 (0009.jp2)
  10. 2.2 実験方法 / p10 (0009.jp2)
  11. 2.3 FBスパッタ法による平坦化と平坦化メカニズム / p16 (0012.jp2)
  12. 2.4 FBスパッタ法のVLSI多層配線への適用 / p38 (0023.jp2)
  13. 2.5 まとめ / p48 (0028.jp2)
  14. 参考文献 / p50 (0029.jp2)
  15. 第3章 バリアメタル(TiN)膜の形成法 / p51 (0029.jp2)
  16. 3.1 はじめに / p51 (0029.jp2)
  17. 3.2 実験方法 / p52 (0030.jp2)
  18. 3.3 窒素プラズマバイアス処理のプロセス条件 / p55 (0031.jp2)
  19. 3.4 オージェ電子分光(AES)による分析 / p57 (0032.jp2)
  20. 3.5 光電子分光(XPS)による分析 / p60 (0034.jp2)
  21. 3.6 TiSi₂表面のTiN形成メカニズム / p65 (0036.jp2)
  22. 3.7 コンタクト抵抗とリーク電流特性 / p65 (0036.jp2)
  23. 3.8 まとめ / p66 (0037.jp2)
  24. 参考文献 / p71 (0039.jp2)
  25. 第4章 Al合金薄膜中へのアルゴンガスの混入 / p73 (0040.jp2)
  26. 4.1 はじめに / p73 (0040.jp2)
  27. 4.2 マグネトロンスパッタ法によるAl合金薄膜中へのArのトラッピング / p73 (0040.jp2)
  28. 4.3 まとめ / p87 (0047.jp2)
  29. 参考文献 / p90 (0049.jp2)
  30. 第5章 Al合金薄膜のエレクトロマイグレーション / p91 (0049.jp2)
  31. 5.1 はじめに / p91 (0049.jp2)
  32. 5.2 実験方法 / p91 (0049.jp2)
  33. 5.3 アルゴンプラズマ処理したTiのAl膜特性に与える効果 / p94 (0051.jp2)
  34. 5.4 Al-Cu膜の初期成長過程と高配向化メカニズム / p95 (0051.jp2)
  35. 5.5 Al-Cu/Ti積層配線のEM特性 / p104 (0056.jp2)
  36. 5.6 まとめ / p104 (0056.jp2)
  37. 参考文献 / p108 (0058.jp2)
  38. 第6章 DCマグネトロンスパッタ法による低反射薄膜の形成 / p110 (0059.jp2)
  39. 6.1 はじめに / p110 (0059.jp2)
  40. 6.2 低反射非晶質シリコン(a-Si)の形成と反射低減膜への応用 / p110 (0059.jp2)
  41. 6.3 低反射Al-Si膜の形成と微細多層配線への応用 / p126 (0067.jp2)
  42. 6.4 まとめ / p147 (0077.jp2)
  43. 参考文献 / p151 (0079.jp2)
  44. 第7章 デバイスへの適用 / p153 (0080.jp2)
  45. 7.1 はじめに / p153 (0080.jp2)
  46. 7.2 超LSI多層配線への適用 / p153 (0080.jp2)
  47. 7.3 まとめ / p158 (0083.jp2)
  48. 参考文献 / p160 (0084.jp2)
  49. 第8章 結論 / p161 (0084.jp2)
  50. 謝辞 / p165 (0086.jp2)
  51. 本研究に関する発表論文および口頭発表 / p166 (0087.jp2)
6アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000172496
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000172772
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000336810
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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