高不純物濃度低次元系におけるホッピング伝導とクーロンブロッケード現象

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著者

    • 近藤, 博基 コンドウ, ヒロキ

書誌事項

タイトル

高不純物濃度低次元系におけるホッピング伝導とクーロンブロッケード現象

著者名

近藤, 博基

著者別名

コンドウ, ヒロキ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第4302号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

名古屋大学博士学位論文 学位の種類:博士(工学) (課程) 学位授与年月日:平成11年3月25日

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的 / p4 (0007.jp2)
  5. 1.3 本論文の概要 / p5 (0007.jp2)
  6. 1.4 参考文献 / p8 (0009.jp2)
  7. 第2章 ホッピング伝導 / p11 (0011.jp2)
  8. 2.1 ホッピング確率 / p11 (0011.jp2)
  9. 2.2 伝導度の温度依存性 / p14 (0013.jp2)
  10. 2.3 参考文献 / p19 (0015.jp2)
  11. 第3章 クーロンブロッケード現象 / p21 (0017.jp2)
  12. 3.1 単一接合におけるクーロンブロッケード現象 / p21 (0017.jp2)
  13. 3.2 二重接合におけるクーロンブロッケード現象(単一電子トランジスタの動作原理) / p27 (0020.jp2)
  14. 3.3 参考文献 / p35 (0024.jp2)
  15. 第4章 試料作製方法および測定方法 / p37 (0026.jp2)
  16. 4.1 集束イオンビーム装置 / p37 (0026.jp2)
  17. 4.2 集束イオンビーム装置を用いた極微細イオン注入領域の作製方法 / p39 (0027.jp2)
  18. 4.3 集束イオンビーム装置を用いて作製した極微細イオン注入領域の電気伝導機構 / p42 (0029.jp2)
  19. 4.4 電気的特性の測定方法 / p46 (0031.jp2)
  20. 4.5 参考文献 / p48 (0032.jp2)
  21. 第5章 ホッピング伝導系におけるクーロンブロッケード現象 / p49 (0033.jp2)
  22. 5.1 はじめに / p49 (0033.jp2)
  23. 5.2 本研究の背景 / p50 (0034.jp2)
  24. 5.3 試料構造と試料作成方法 / p51 (0034.jp2)
  25. 5.4 結果および考察 / p54 (0036.jp2)
  26. 5.5 まとめ / p80 (0049.jp2)
  27. 5.6 参考文献 / p82 (0050.jp2)
  28. 第6章 一次元可変領域ホッピング伝道におけるホッピング距離の温度依存性および電界依存性 / p85 (0052.jp2)
  29. 6.1 はじめに / p85 (0052.jp2)
  30. 6.2 ホッピング伝道における局在長およびホッピング距離の評価 / p86 (0053.jp2)
  31. 6.3 本研究の背景 / p87 (0053.jp2)
  32. 6.4 試料構造と試料作製方法 / p91 (0055.jp2)
  33. 6.5 結果および考察 / p93 (0056.jp2)
  34. 6.6 まとめ / p100 (0060.jp2)
  35. 6.7 参考丈献 / p102 (0061.jp2)
  36. 第7章 結論 / p105 (0063.jp2)
  37. 7.1 本研究の総括 / p105 (0063.jp2)
  38. 7.2 今後の展望 / p108 (0065.jp2)
  39. 謝辞 / p110 (0066.jp2)
  40. 研究業績 / p111 (0066.jp2)
  41. Appendix:試行作製行程 / A1 / (0067.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000173005
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000173281
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000337319
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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