MOVPE法による窒化物混晶の結晶成長に関する研究

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著者

    • 清水, 誠也 シミズ, マサヤ

書誌事項

タイトル

MOVPE法による窒化物混晶の結晶成長に関する研究

著者名

清水, 誠也

著者別名

シミズ, マサヤ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第4338号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 1-1 情報化社会におけるオプトエレクトロニクスの役割 / p1 (0004.jp2)
  4. 1-2 窒化物半導体の特性 / p2 (0005.jp2)
  5. 1-3 近年におけるInGaN混晶の成長方法の進展 / p4 (0006.jp2)
  6. 1-4 本研究の目的と構成 / p6 (0007.jp2)
  7. 参考文献 / p8 (0008.jp2)
  8. 第2章 InGaN単独膜の成長-In原料の供給量によるInモル分率の変化- / p10 (0009.jp2)
  9. 2-1 はじめに / p10 (0009.jp2)
  10. 2-2 成長装置及び成長方法 / p10 (0009.jp2)
  11. 2-3 InGaN混晶の特性 / p14 (0011.jp2)
  12. 2-4 まとめ / p23 (0015.jp2)
  13. 参考文献 / p24 (0016.jp2)
  14. 第3章 InGaN/GaN多層構造の作製 / p25 (0016.jp2)
  15. 3-1 はじめに / p25 (0016.jp2)
  16. 3-2 原料の交互供給による多層構造の作製 / p25 (0016.jp2)
  17. 3-3 多層構造の評価 / p26 (0017.jp2)
  18. 3-4 Inドロップレットによる結晶成長過程 / p35 (0021.jp2)
  19. 3-5 まとめ / p45 (0026.jp2)
  20. 参考文献 / p46 (0027.jp2)
  21. 第4章 AlNバッファ層上へのInGaNの成長 / p47 (0027.jp2)
  22. 4-1 はじめに / p47 (0027.jp2)
  23. 4-2 成長方法 / p47 (0027.jp2)
  24. 4-3 AlNバッファ層のアニール効果 / p48 (0028.jp2)
  25. 4-4 成長温度によるInGaNのInモル分率の制御 / p52 (0030.jp2)
  26. 4-5 まとめ / p55 (0031.jp2)
  27. 参考文献 / p56 (0032.jp2)
  28. 第5章 InGaN厚膜の成長 / p57 (0032.jp2)
  29. 5-1 はじめに / p57 (0032.jp2)
  30. 5-2 成長方法 / p58 (0033.jp2)
  31. 5-3 GaN単結晶膜上及びAlNバッファ層上におけるInGaNの成長形態の違い / p59 (0033.jp2)
  32. 5-4 歪みによる組成引き込み効果 / p69 (0038.jp2)
  33. 5-5 成長初期領域の臨界膜厚 / p82 (0045.jp2)
  34. 5-6 まとめ / p83 (0045.jp2)
  35. 参考文献 / p84 (0046.jp2)
  36. 第6章 窒化物半導体における熱分解を利用した電流狭窄構造の作製 / p85 (0046.jp2)
  37. 6-1 はじめに / p85 (0046.jp2)
  38. 6-2 窒化物半導体の熱分解 / p87 (0047.jp2)
  39. 6-3 電流狭窄構造の作製 / p93 (0050.jp2)
  40. 6-4 まとめ / p99 (0053.jp2)
  41. 参考文献 / p100 (0054.jp2)
  42. 第7章 総括 / p101 (0054.jp2)
  43. 謝辞 / p105 (0056.jp2)
  44. 本研究に関する発表 / p106 (0057.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000173041
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000173317
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000337355
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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