InGaAsP系半導体レーザ作製プロセス用MOVPE成長に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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InGaAsP系半導体レーザ作製プロセス用MOVPE成長に関する研究
- 著者名
-
竹見, 政義
- 著者別名
-
タケミ, マサヨシ
- 学位授与大学
-
名古屋大学
- 取得学位
-
博士(工学)
- 学位授与番号
-
乙第5531号
- 学位授与年月日
-
1999-01-29
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 はじめに / p1 (0005.jp2)
- 1.2 MOVPE結晶成長技術の歴史と動向 / p3 (0006.jp2)
- 1.3 本研究の目的と意義 / p4 (0007.jp2)
- 1.4 本論文の構成 / p7 (0008.jp2)
- 参考文献 / p9 (0009.jp2)
- 第2章 MOVPEによるInGaAsP系半導体の成長 / p11 (0010.jp2)
- 2.1 はじめに / p11 (0010.jp2)
- 2.2 多数枚高均一MOVPE成長の必要性 / p12 (0011.jp2)
- 2.3 サセプタ高速回転型MOVPEの特徴 / p14 (0012.jp2)
- 2.4 成長条件の最適化と層厚･組成均一性 / p20 (0015.jp2)
- 2.5 薄膜層の組成･層厚制御性 / p31 (0020.jp2)
- 2.6 1.3μm帯BHレーザヘの適用 / p33 (0021.jp2)
- 2.7 まとめ / p36 (0023.jp2)
- 参考文献 / p38 (0024.jp2)
- 第3章 MOVPEにおけるInGaAsP/lnP系ヘテロ界面の制御 / p39 (0024.jp2)
- 3.1 はじめに / p39 (0024.jp2)
- 3.2 高分解能X線回折法によるInGaAs/InP系ヘテロ界面の評価 / p40 (0025.jp2)
- 3.3 InGaAs/InP系ヘテロ界面でのV族原子の挙動 / p50 (0030.jp2)
- 3.4 まとめ / p58 (0034.jp2)
- 参考文献 / p60 (0035.jp2)
- 第4章 MOVPEによるドライエッチメサヘの選択埋込成長 / p61 (0035.jp2)
- 4.1 はじめに / p61 (0035.jp2)
- 4.2 [110]メサストライプヘの選択埋込MOVPE成長 / p64 (0037.jp2)
- 4.3 ドライエッチメサBHレーザへの適用 / p80 (0045.jp2)
- 4.4 光集積回路用光導波路への選択埋込MOVPE成長 / p87 (0048.jp2)
- 4.5 まとめ / p92 (0051.jp2)
- 参考文献 / p93 (0051.jp2)
- 第5章 選択MOVPEによる面内エネルギーギャップの制御 / p95 (0052.jp2)
- 5.1 はじめに / p95 (0052.jp2)
- 5.2 サセプタ高速回転型MOVPEによるマスク上多結晶発生の抑制 / p96 (0053.jp2)
- 5.3 選択成長形状とその制御 / p98 (0054.jp2)
- 5.4 変調器付きDFBレーザヘの適用 / p105 (0057.jp2)
- 5.5 まとめ / p111 (0060.jp2)
- 参考文献 / p112 (0061.jp2)
- 第6章 結論 / p114 (0062.jp2)
- 謝辞 / p119 (0064.jp2)
- 研究業績一覧 / p120 (0065.jp2)