半導体デバイスの低温・低圧成長プロセスと低温ドーピングプロセスに関する基礎的研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
半導体デバイスの低温・低圧成長プロセスと低温ドーピングプロセスに関する基礎的研究
- 著者名
-
藤本, 博
- 著者別名
-
フジモト, ヒロシ
- 学位授与大学
-
大同工業大学
- 取得学位
-
博士(工学)
- 学位授与番号
-
乙第2号
- 学位授与年月日
-
1999-03-18
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
- 1.1 MOCVD法によるII-VI族化合物半導体の研究の現状 / p1 (0004.jp2)
- 1.2 電子ビーム照射技術の現状 / p1 (0004.jp2)
- 1.3 本研究の背景と目的 / p3 (0005.jp2)
- 1.4 本研究の概要 / p5 (0006.jp2)
- 参考文献 / p7 (0007.jp2)
- 第2章 MOCVD法によるZnCdTeおよびZnCdSe三元化合物薄膜の作製 / p9 (0008.jp2)
- 2.1 緒言 / p9 (0008.jp2)
- 2.2 薄膜成長に使用したMOCVD装置の概要 / p12 (0010.jp2)
- 2.3 II-VI族三元化合物半導体の成長 / p13 (0010.jp2)
- 2.4 実験結果および考察 / p16 (0012.jp2)
- 2.5 MOCVD法による[化学式]薄膜の成長 / p32 (0020.jp2)
- 2.6 [化学式]薄膜の評価 / p33 (0020.jp2)
- 2.7 結言 / p36 (0022.jp2)
- 参考文献 / p38 (0023.jp2)
- 第3章 MOCVD法によるZnCdS三元化合物薄膜の成長と不純物のドーピング / p39 (0023.jp2)
- 3.1 緒言 / p39 (0023.jp2)
- 3.2 MOCVD法による[化学式]の結晶成長とその評価 / p41 (0024.jp2)
- 3.3 ZnCdS薄膜への窒素およびリンの電子ビームドーピング / p47 (0027.jp2)
- 3.4 結言 / p57 (0032.jp2)
- 参考文献 / p58 (0033.jp2)
- 第4章 電子ビームドーピングにおける界面の役割 / p60 (0034.jp2)
- 4.1 緒言 / p60 (0034.jp2)
- 4.2 実験方法 / p61 (0034.jp2)
- 4.3 実験結果 / p62 (0035.jp2)
- 4.4 考察 / p66 (0037.jp2)
- 4.5 結言 / p69 (0038.jp2)
- 参考文献 / p70 (0039.jp2)
- 第5章 電子ビームドーピングによる単原子の移動(Ge/Si 2層構造) / p71 (0039.jp2)
- 5.1 緒言 / p71 (0039.jp2)
- 5.2 実験方法 / p71 (0039.jp2)
- 5.3 実験結果 / p72 (0040.jp2)
- 5.4 考察 / p78 (0043.jp2)
- 5.5 結言 / p84 (0046.jp2)
- 参考文献 / p85 (0046.jp2)
- 第6章 基板界面での単原子の移動による合金層の形成(Si/Ge/Si 3層構造) / p86 (0047.jp2)
- 6.1 緒言 / p86 (0047.jp2)
- 6.2 実験方法 / p87 (0047.jp2)
- 6.3 実験結果 / p88 (0048.jp2)
- 6.4 考察 / p90 (0049.jp2)
- 6.5 結言 / p97 (0052.jp2)
- 参考文献 / p99 (0053.jp2)
- 第7章 総括 / p100 (0054.jp2)
- 謝辞 / p102 (0055.jp2)
- 発表論文 / p103 (0055.jp2)