GaN薄膜の基板材料およびエピタキシャル成長に関する結晶学的研究 GaN ハクマク ノ キバン ザイリョウ オヨビ エピタキシャル セイチョウ ニカンスル ケッショウガクテキ ケンキュウ
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著者
書誌事項
- タイトル
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GaN薄膜の基板材料およびエピタキシャル成長に関する結晶学的研究
- タイトル別名
-
GaN ハクマク ノ キバン ザイリョウ オヨビ エピタキシャル セイチョウ ニカンスル ケッショウガクテキ ケンキュウ
- 著者名
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加藤, 智久
- 著者別名
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カトウ, トモヒサ
- 学位授与大学
-
名古屋工業大学
- 取得学位
-
博士(工学)
- 学位授与番号
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甲第245号
- 学位授与年月日
-
1999-03-24
注記・抄録
博士論文
主査：奥田 高士
目次
- 目次 / (0004.jp2)
- 第一章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 1-1 GaNの研究開発の背景と歴史 / p1 (0006.jp2)
- 1-2 GaNの特徴 / p3 (0007.jp2)
- 1-3 本研究の目的と構成 / p4 (0008.jp2)
- 第一章の参考文献 / p5 (0008.jp2)
- 第二章 GaN成長機構の解析と各種基板材料の有用性の評価 / p8 (0010.jp2)
- 2-1 緒言 / p8 (0010.jp2)
- 2-2 基礎事項 / p9 (0010.jp2)
- 2-3 評価方法 / p16 (0014.jp2)
- 2-4 GaN成長モデル / p19 (0015.jp2)
- 2-5 考察 / p91 (0051.jp2)
- 2-6 まとめ / p94 (0053.jp2)
- 第二章の参考文献 / p95 (0053.jp2)
- 第三章 六方晶SiC単結晶の欠陥および結晶性の評価 / p98 (0055.jp2)
- 3-1 緒言 / p98 (0055.jp2)
- 3-2 SiC / p99 (0055.jp2)
- 3-3 実験および評価方法 / p107 (0059.jp2)
- 3-4 六方晶SiCバルク単結晶の評価 / p116 (0064.jp2)
- 3-5 まとめ / p148 (0084.jp2)
- 第三章の参考文献 / p149 (0084.jp2)
- 第四章 SiC単結晶基板上のGaN単結晶薄膜の成長と評価 / p151 (0085.jp2)
- 4-1 緒言 / p151 (0085.jp2)
- 4-2 実験および評価方法 / p151 (0085.jp2)
- 4-3 結果と考察 / p156 (0088.jp2)
- 4-4 まとめ / p171 (0095.jp2)
- 第四章の参考文献 / p172 (0096.jp2)
- 第五章 総括 / p174 (0097.jp2)
- 謝辞 / p177 (0098.jp2)
- 研究業績 / p178 (0099.jp2)
- 論文発表 / p178 (0099.jp2)
- 口頭発表 / p179 (0099.jp2)
- 研究歴 / p181 (0100.jp2)
- 受賞 / p181 (0100.jp2)