多層薄膜試料のオージェ深さ方向分析の研究

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著者

    • 荻原, 俊也 オギワラ, トシヤ

書誌事項

タイトル

多層薄膜試料のオージェ深さ方向分析の研究

著者名

荻原, 俊也

著者別名

オギワラ, トシヤ

学位授与大学

名古屋工業大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

乙第141号

学位授与年月日

1999-03-16

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 第2章 Ni/Cr多層膜の深さ方向分析 / p5 (0009.jp2)
  4. 2.1 はじめに / p5 (0009.jp2)
  5. 2.2 実験 / p6 (0010.jp2)
  6. 2.3 結果および考察 / p9 (0011.jp2)
  7. 2.4 本章のまとめ / p20 (0017.jp2)
  8. 文献 / p22 (0018.jp2)
  9. 第3章 GaAs/AlAs/GaAs膜の深さ方向分析 / p24 (0019.jp2)
  10. 3.1 はじめに / p24 (0019.jp2)
  11. 3.2 実験 / p25 (0020.jp2)
  12. 3.3 結果および考察 / p26 (0020.jp2)
  13. 3.4 本章のまとめ / p43 (0029.jp2)
  14. 文献 / p43 (0029.jp2)
  15. 第4章 InP系多層膜の深さ方向分析 / p45 (0030.jp2)
  16. 4.1 はじめに / p45 (0030.jp2)
  17. 4.2 実験 / p46 (0031.jp2)
  18. 4.3 結果 / p50 (0033.jp2)
  19. 4.4 考察 / p85 (0050.jp2)
  20. 4.5 本章のまとめ / p92 (0054.jp2)
  21. 文献 / p93 (0054.jp2)
  22. 第5章 非負拘束付き最小二乗法を用いたスペクトル合成法によるGaAs/AlAs/GaAs膜のオージェデプスプロファイルの解析 / p95 (0055.jp2)
  23. 5.1 はじめに / p95 (0055.jp2)
  24. 5.2 実験および計算 / p96 (0056.jp2)
  25. 5.3 結果および考察 / p99 (0057.jp2)
  26. 5.4 本章のまとめ / p106 (0061.jp2)
  27. 文献 / p106 (0061.jp2)
  28. 第6章 AFMヒストグラムを用いたイオン誘起表面あれの定量評価 / p108 (0062.jp2)
  29. 6.1 はじめに / p108 (0062.jp2)
  30. 6.2 実験および計算 / p109 (0063.jp2)
  31. 6.3 結果および考察 / p112 (0064.jp2)
  32. 6.4 本章のまとめ / p121 (0069.jp2)
  33. 文献 / p124 (0070.jp2)
  34. 第7章 ロジスティック関数を用いたオージェデプスプロファイルの解析 / p126 (0071.jp2)
  35. 7.1 はじめに / p126 (0071.jp2)
  36. 7.2 実験および計算 / p127 (0072.jp2)
  37. 7.3 結果および考察 / p128 (0072.jp2)
  38. 7.4 本章のまとめ / p147 (0082.jp2)
  39. 文献 / p148 (0082.jp2)
  40. 第8章 総括 / p149 (0083.jp2)
  41. 謝辞 / p155 (0086.jp2)
  42. 本研究に関する発表 / p157 (0087.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000173182
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000173458
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000337496
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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