Ⅳ族半導体超微粒子の構造と光学的性質に関する研究

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著者

    • 佐藤, 井一 サトウ, セイイチ

書誌事項

タイトル

Ⅳ族半導体超微粒子の構造と光学的性質に関する研究

著者名

佐藤, 井一

著者別名

サトウ, セイイチ

学位授与大学

電気通信大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第154号

学位授与年月日

1999-03-24

注記・抄録

博士論文

目次

  1. Abstract / (0005.jp2)
  2. 目次 / p1 (0009.jp2)
  3. 1 序論 / p1 (0012.jp2)
  4. 1.1 IV族半導体超微粒子に関する研究の端緒 / p1 (0009.jp2)
  5. 1.2 超微粒子サイズと結晶構造変化 / p4 (0015.jp2)
  6. 1.3 本研究の目的 / p6 (0017.jp2)
  7. 1.4 本論文の構成 / p7 (0018.jp2)
  8. 参考文献 / p9 (0020.jp2)
  9. 2 IV族半導体ナノ構造作製法 / p13 (0024.jp2)
  10. 2.1 ガス中蒸発法 / p13 (0024.jp2)
  11. 2.2 陽極化成法 / p14 (0025.jp2)
  12. 2.3 クラスタービーム蒸着法 / p15 (0026.jp2)
  13. 参考文献 / p24 (0035.jp2)
  14. 3 ゲルマニウム超微粒子膜の構造 / p25 (0036.jp2)
  15. 3.1 序説 / p25 (0036.jp2)
  16. 3.2 実験方法 / p26 (0037.jp2)
  17. 3.3 膜形態と結晶構造 / p28 (0039.jp2)
  18. 3.4 考察 / p37 (0048.jp2)
  19. 参考文献 / p39 (0050.jp2)
  20. 4 IV族半導体の価電子帯電子構造 / p40 (0051.jp2)
  21. 4.1 序説 / p40 (0051.jp2)
  22. 4.2 実験方法 / p41 (0052.jp2)
  23. 4.3 ゲルマニウムナノ構造の価電子帯電子構造 / p42 (0053.jp2)
  24. 4.4 ゲルマニウムナノ構造のプラズモン損失構造 / p43 (0054.jp2)
  25. 4.5 シリコンナノ構造のプラズモン損失構造 / p47 (0058.jp2)
  26. 4.6 考察 / p56 (0067.jp2)
  27. 参考文献 / p61 (0072.jp2)
  28. 5 IV族半導体の光学的性質 / p64 (0075.jp2)
  29. 5.1 序説 / p64 (0075.jp2)
  30. 5.2 ゲルマニウムナノ構造の光学的性質 / p66 (0077.jp2)
  31. 5.3 シリコン酸化物超微粒子からの高強度青色発光 / p82 (0093.jp2)
  32. 5.4 考察 / p95 (0106.jp2)
  33. 参考文献 / p104 (0115.jp2)
  34. 6 ゲルマニウム超微粒子の光酸化 / p106 (0117.jp2)
  35. 6.1 序説 / p106 (0117.jp2)
  36. 6.2 実験方法 / p107 (0118.jp2)
  37. 6.3 結果 / p107 (0118.jp2)
  38. 6.4 考察 / p119 (0130.jp2)
  39. 参考文献 / p123 (0134.jp2)
  40. 7 ゲルマニウム超微粒子の光酸化 / p124 (0135.jp2)
  41. 参考文献 / p131 (0142.jp2)
  42. 8 総括 / p132 (0143.jp2)
  43. 謝辞 / p135 (0146.jp2)
  44. 関連論文の印刷公表の方法及び時期 / p136 (0147.jp2)
  45. 学術論文誌、書籍等発表 / p136 (0147.jp2)
  46. 国際会議 / p138 (0149.jp2)
  47. 国内学会 / p140 (0151.jp2)
  48. 著者略歴 / p144 (0011.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000173281
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000173557
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000337595
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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