Surface modification of GaAs and CVD diamond films by layered-compound GaS 層状半導体GaSによるガリウムGaAsとCVDダイヤモンド薄膜の表面修飾に関する研究

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著者

    • A.B.M.Obaidul Islam エー ビー エム オバイドゥル イスラム

書誌事項

タイトル

Surface modification of GaAs and CVD diamond films by layered-compound GaS

タイトル別名

層状半導体GaSによるガリウムGaAsとCVDダイヤモンド薄膜の表面修飾に関する研究

著者名

A.B.M.Obaidul Islam

著者別名

エー ビー エム オバイドゥル イスラム

学位授与大学

富山大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第41号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. CONTENTS / (0005.jp2)
  2. Chapter1 Introduction / p1 (0008.jp2)
  3. 1.1 Background / p1 (0008.jp2)
  4. 1.2 Review of the Previous Research Works / p7 (0014.jp2)
  5. 1.3 Aim of the Present Study and Outline of Each Chapter / p13 (0020.jp2)
  6. References / p15 (0022.jp2)
  7. Chapter2 Materials and van der Waals Epitaxy / p20 (0027.jp2)
  8. 2.1 Properties and Crystal Structure of GaAs / p20 (0027.jp2)
  9. 2.2 Properties and Crystal Structure of Diamond / p22 (0029.jp2)
  10. 2.3 Properties and Crystal Structure of GaS / p25 (0032.jp2)
  11. 2.4 Van der Waals Epitaxy / p27 (0034.jp2)
  12. References / p32 (0039.jp2)
  13. Chapter3 Principles of the Characterization Methods / p35 (0042.jp2)
  14. 3.1 Ion Sputtering / p35 (0042.jp2)
  15. 3.2 Auger Electron Spectroscopy(AES) / p36 (0043.jp2)
  16. 3.3 Low-Energy Electron-Loss Spectroscopy(LEELS) / p38 (0045.jp2)
  17. 3.4 X-Ray Photoelectron Spectroscopy(XPS) / p40 (0047.jp2)
  18. 3.5 Atomic Force Microscopy(AFM) / p42 (0049.jp2)
  19. 3.6 Photoluminescence(PL) / p44 (0051.jp2)
  20. References / p46 (0053.jp2)
  21. Chapter4 Experimental Apparatus and Experimental Procedure / p47 (0054.jp2)
  22. 4.1 Ultrahigh Vacuum(UHV)System / p47 (0054.jp2)
  23. 4.2 AFM Apparatus / p60 (0067.jp2)
  24. 4.3 Photoluminescence(PL)Measurement System / p65 (0072.jp2)
  25. 4.4 Preparation of GaS Single Crystal / p66 (0073.jp2)
  26. 4.5 Substrates / p69 (0076.jp2)
  27. 4.6 Experimental Procedure / p71 (0078.jp2)
  28. 4.7 Measurement Conditions / p73 (0080.jp2)
  29. Chapter5 Growth Mode and Thickness Calculation of Grown Films. / p75 (0082.jp2)
  30. 5.1 Growth Process of Thin Film / p75 (0082.jp2)
  31. 5.2 Growth Mode and AES Signal Intensity / p76 (0083.jp2)
  32. 5.3 AES Signal Used for Thickness Measurement / p77 (0084.jp2)
  33. 5.4 Calculation of Escape Depth of Auger Electron and Film Thickness / p77 (0084.jp2)
  34. References / p80 (0087.jp2)
  35. Chapter6 Investigation of Bulk GaAs and GaS / p81 (0088.jp2)
  36. 6.1 LEELS Spectra of GaAs Surface / p81 (0088.jp2)
  37. 6.2 LEELS Spectra of Cleaved GaS Surface / p82 (0089.jp2)
  38. References / p84 (0091.jp2)
  39. Chapter7 Results and Discussion / p85 (0092.jp2)
  40. 7.1 LEELS Measurements of GaS Films Grown on GaAs Surfaces / p85 (0092.jp2)
  41. 7.2 XPS Measurements of GaS Films Grown on GaAs Surfaces / p94 (0101.jp2)
  42. 7.3 Surface Morphology of GaS Films Grown on GaAs Surfaces / p106 (0113.jp2)
  43. 7.4 Photoluminescence(PL) / p114 (0121.jp2)
  44. 7.5 Band Discontinuity / p119 (0126.jp2)
  45. 7.6 Growth of GaS Films on CVD Diamond Film Surfaces / p128 (0135.jp2)
  46. References / p152 (0159.jp2)
  47. Chapter8 Conclusions / p154 (0161.jp2)
  48. Academic Achievements / p156 (0163.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000173313
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000173589
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000337627
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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