イオン注入による不純物導入と欠陥制御の研究

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著者

    • 高橋, 光俊 タカハシ, ミツトシ

書誌事項

タイトル

イオン注入による不純物導入と欠陥制御の研究

著者名

高橋, 光俊

著者別名

タカハシ, ミツトシ

学位授与大学

群馬大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

工博乙第33号

学位授与年月日

1999-03-10

注記・抄録

博士論文

目次

  1. -目次- / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 研究の背景 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 本研究の内容 / p3 (0008.jp2)
  5. 参考文献 / p4 (0009.jp2)
  6. 第2章 MeV As⁺イオン注入 / p5 (0010.jp2)
  7. 2.1 序 / p5 (0010.jp2)
  8. 2.2 高エネルギーイオン注入装置及び実験方法 / p5 (0010.jp2)
  9. 2.3 実験結果と考察 / p7 (0012.jp2)
  10. 2.4 まとめ / p20 (0025.jp2)
  11. 参考文献 / p20 (0025.jp2)
  12. 第3章 MeV BF₂⁺イオン注入 / p22 (0027.jp2)
  13. 3.1 序 / p22 (0027.jp2)
  14. 3.2 実験方法 / p22 (0027.jp2)
  15. 3.3 実験結果及び考察 / p23 (0028.jp2)
  16. 3.4 まとめ / p39 (0044.jp2)
  17. 参考文献 / p39 (0044.jp2)
  18. 第4章 極薄膜単結晶シリコン層へのイオン注入―I―注入損傷の回復と偏析 / p40 (0045.jp2)
  19. 4.1 序 / p40 (0045.jp2)
  20. 4.2 実験方法 / p41 (0046.jp2)
  21. 4.3 実験結果及び考察 / p41 (0046.jp2)
  22. 4.4 まとめ / p70 (0075.jp2)
  23. 参考文献 / p71 (0076.jp2)
  24. 付録 / p73 (0078.jp2)
  25. 第5章 極薄膜単結晶シリコン層へのイオン注入―II―極薄膜CMOS/SIMOXのS/D領域へのアルゴンイオン注入 / p75 (0080.jp2)
  26. 5.1 はじめに / p75 (0080.jp2)
  27. 5.2 デバイス適用例と効果 / p78 (0083.jp2)
  28. 5.3 実験方法 / p80 (0085.jp2)
  29. 5.4 実験結果と考察 / p82 (0087.jp2)
  30. 5.5 まとめ / p106 (0111.jp2)
  31. 参考文献 / p107 (0112.jp2)
  32. 付録 / p110 (0115.jp2)
  33. 第6章 イオン注入によるデバイスのチャージアップ損傷 / p116 (0121.jp2)
  34. 6.1 序 / p116 (0121.jp2)
  35. 6.2 ハイブリッドスキャンについて / p117 (0122.jp2)
  36. 6.3 チャージアップ損傷の評価法 / p118 (0123.jp2)
  37. 6.4 実験結果 / p119 (0124.jp2)
  38. 6.5 まとめ / p135 (0140.jp2)
  39. 参考文献 / p135 (0140.jp2)
  40. 第7章 総括 / p136 (0141.jp2)
  41. 謝辞 / p138 (0143.jp2)
  42. 論文リスト / p139 (0144.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000173553
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000173829
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000337867
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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