イオン注入による不純物導入と欠陥制御の研究
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Bibliographic Information
- Title
-
イオン注入による不純物導入と欠陥制御の研究
- Author
-
高橋, 光俊
- Author(Another name)
-
タカハシ, ミツトシ
- University
-
群馬大学
- Types of degree
-
博士(工学)
- Grant ID
-
工博乙第33号
- Degree year
-
1999-03-10
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- -目次- / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 1.1 研究の背景 / p1 (0006.jp2)
- 1.2 本研究の内容 / p3 (0008.jp2)
- 参考文献 / p4 (0009.jp2)
- 第2章 MeV As⁺イオン注入 / p5 (0010.jp2)
- 2.1 序 / p5 (0010.jp2)
- 2.2 高エネルギーイオン注入装置及び実験方法 / p5 (0010.jp2)
- 2.3 実験結果と考察 / p7 (0012.jp2)
- 2.4 まとめ / p20 (0025.jp2)
- 参考文献 / p20 (0025.jp2)
- 第3章 MeV BF₂⁺イオン注入 / p22 (0027.jp2)
- 3.1 序 / p22 (0027.jp2)
- 3.2 実験方法 / p22 (0027.jp2)
- 3.3 実験結果及び考察 / p23 (0028.jp2)
- 3.4 まとめ / p39 (0044.jp2)
- 参考文献 / p39 (0044.jp2)
- 第4章 極薄膜単結晶シリコン層へのイオン注入―I―注入損傷の回復と偏析 / p40 (0045.jp2)
- 4.1 序 / p40 (0045.jp2)
- 4.2 実験方法 / p41 (0046.jp2)
- 4.3 実験結果及び考察 / p41 (0046.jp2)
- 4.4 まとめ / p70 (0075.jp2)
- 参考文献 / p71 (0076.jp2)
- 付録 / p73 (0078.jp2)
- 第5章 極薄膜単結晶シリコン層へのイオン注入―II―極薄膜CMOS/SIMOXのS/D領域へのアルゴンイオン注入 / p75 (0080.jp2)
- 5.1 はじめに / p75 (0080.jp2)
- 5.2 デバイス適用例と効果 / p78 (0083.jp2)
- 5.3 実験方法 / p80 (0085.jp2)
- 5.4 実験結果と考察 / p82 (0087.jp2)
- 5.5 まとめ / p106 (0111.jp2)
- 参考文献 / p107 (0112.jp2)
- 付録 / p110 (0115.jp2)
- 第6章 イオン注入によるデバイスのチャージアップ損傷 / p116 (0121.jp2)
- 6.1 序 / p116 (0121.jp2)
- 6.2 ハイブリッドスキャンについて / p117 (0122.jp2)
- 6.3 チャージアップ損傷の評価法 / p118 (0123.jp2)
- 6.4 実験結果 / p119 (0124.jp2)
- 6.5 まとめ / p135 (0140.jp2)
- 参考文献 / p135 (0140.jp2)
- 第7章 総括 / p136 (0141.jp2)
- 謝辞 / p138 (0143.jp2)
- 論文リスト / p139 (0144.jp2)