Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体への不純物ドーピングメカニズムの研究

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著者

    • 佐野, 恵利子 サノ, エリコ

書誌事項

タイトル

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体への不純物ドーピングメカニズムの研究

著者名

佐野, 恵利子

著者別名

サノ, エリコ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第1342号

学位授与年月日

1999-03-15

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p3 (0004.jp2)
  2. 謝辞 / p1 (0003.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.1 はじめに / p2 (0008.jp2)
  5. 1.2 化合物半導体における不純物ドーピング特性 / p3 (0008.jp2)
  6. 1.3 キャリア濃度飽和の原因 / p6 (0010.jp2)
  7. 1.4 本研究の目的と課題 / p8 (0011.jp2)
  8. 参考文献 / p10 (0012.jp2)
  9. 第2章 GaAsにおける高濃度ドーピング特性 / p13 (0013.jp2)
  10. 2.1 はじめに / p14 (0014.jp2)
  11. 2.2 薄膜成長装置の設計 / p15 (0014.jp2)
  12. 2.3 様々な不純物のドーピング特性 / p20 (0017.jp2)
  13. 2.4 Se原子層ドーピングにおけるAs圧効果 / p44 (0029.jp2)
  14. 2.5 まとめ / p56 (0035.jp2)
  15. 参考文献 / p59 (0036.jp2)
  16. 第3章 高指数面上でのドーピング特性 / p61 (0037.jp2)
  17. 3.1 はじめに / p62 (0038.jp2)
  18. 3.2 Seドーピングにおける基板面方位依存性 / p63 (0038.jp2)
  19. 3.3(411)A面上での高濃度ドーピング特性 / p73 (0043.jp2)
  20. 3.4 まとめ / p89 (0051.jp2)
  21. 参考文献 / p91 (0052.jp2)
  22. 第4章 n型不純物とp型不純物が共存する系 / p93 (0053.jp2)
  23. 4.1 はじめに / p94 (0054.jp2)
  24. 4.2 SiとBeの同時ドープGaAsの特性 / p95 (0054.jp2)
  25. 4.3 まとめ / p105 (0059.jp2)
  26. 参考文献 / p107 (0060.jp2)
  27. 第5章 結論 / p109 (0061.jp2)
  28. 研究業績 / p115 (0064.jp2)
5アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000173621
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000173897
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000337935
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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