第一原理計算によるBN、AINおよびGaNの構造的、弾性的および圧電的性質に関する研究 daiichi genri keisan ni yoru bienu eiaienu oyobi jieienu no kozoteki danseiteki oyobi atsudenteki seishitsu ni kansuru kenkyu
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著者
書誌事項
- タイトル
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第一原理計算によるBN、AINおよびGaNの構造的、弾性的および圧電的性質に関する研究
- タイトル別名
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daiichi genri keisan ni yoru bienu eiaienu oyobi jieienu no kozoteki danseiteki oyobi atsudenteki seishitsu ni kansuru kenkyu
- 著者名
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島田, 和宏
- 著者別名
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シマダ, カズヒロ
- 学位授与大学
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早稲田大学
- 取得学位
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博士(工学)
- 学位授与番号
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甲第1345号
- 学位授与年月日
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1999-03-15
注記・抄録
博士論文
制度:新 ; 文部省報告番号:甲1345号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1999-03-15 ; 早大学位記番号:新2783 ; 理工学図書館請求番号:2319
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 図目次 / p3 (0004.jp2)
- 表目次 / p5 (0005.jp2)
- 第1章 はじめに / p1 (0006.jp2)
- 1.1 背景 / p1 (0006.jp2)
- 1.2 従来の研究 / p2 (0007.jp2)
- 1.3 目的 / p4 (0008.jp2)
- 1.4 本論文の構成 / p4 (0008.jp2)
- 第2章 密度汎関数法 / p9 (0010.jp2)
- 2.1 Hohenberg-Kohnの定理 / p9 (0010.jp2)
- 2.2 局所密度近似 / p10 (0011.jp2)
- 2.3 Kohn-Sham方程式 / p11 (0011.jp2)
- 2.4 第一原理分子動力学法 / p13 (0012.jp2)
- 第3章 B､N､AlおよびGaの擬ポテンシャル / p17 (0014.jp2)
- 3.1 擬ポテンシャルの概念 / p17 (0014.jp2)
- 3.2 Troullier-Martinsの擬ポテンシャル / p18 (0015.jp2)
- 3.3 擬ポテンシャルの評価 / p22 (0017.jp2)
- 第4章 BN､AINおよびGaNの構造的性質 / p31 (0021.jp2)
- 4.1 結晶構造 / p31 (0021.jp2)
- 4.2 格子定数 / p34 (0023.jp2)
- 4.3 バンド構造と電荷密度分布 / p47 (0029.jp2)
- 第5章 BN､AINおよびGaNの弾性的性質と光学フォノン / p65 (0038.jp2)
- 5.1 弾性定数 / p65 (0038.jp2)
- 5.2 変形ポテンシャル定数 / p77 (0044.jp2)
- 5.3 Γ点光学フォノン周波数 / p83 (0047.jp2)
- 第6章 BN､AINおよびGaNの圧電的性質 / p93 (0052.jp2)
- 6.1 分極 / p93 (0052.jp2)
- 6.2 Born有効電荷 / p96 (0054.jp2)
- 6.3 圧電定数 / p98 (0055.jp2)
- 6.4 圧電定数の歪み依存性:体積一定の歪み / p105 (0058.jp2)
- 第7章 まとめ / p111 (0061.jp2)
- 7.1 結論 / p111 (0061.jp2)
- 7.2 今後の課題 / p112 (0062.jp2)
- 参考文献 / p113 (0062.jp2)
- 謝辞 / p125 (0068.jp2)
- 研究業績 / p127 (0069.jp2)
