GaN及びInGaNの光学的特性に関する研究

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著者

    • 出口, 隆弘 デグチ, タカヒロ

書誌事項

タイトル

GaN及びInGaNの光学的特性に関する研究

著者名

出口, 隆弘

著者別名

デグチ, タカヒロ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第1351号

学位授与年月日

1999-03-15

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p3 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p11 (0007.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p11 (0007.jp2)
  4. 1.2 従来の研究 / p12 (0008.jp2)
  5. 1.3 本論文の目的 / p14 (0009.jp2)
  6. 1.4 本論文の構成 / p15 (0009.jp2)
  7. 参考文献 / p19 (0011.jp2)
  8. 第2章 GaNの構造的特性及び振動特性 / p21 (0012.jp2)
  9. 2.1 横方向エピタキシャル成長法 / p21 (0012.jp2)
  10. 2.2 X線回折測定 / p22 (0013.jp2)
  11. 2.3 ブリルアン散乱測定 / p24 (0014.jp2)
  12. 2.4 ラマン散乱測定 / p25 (0014.jp2)
  13. 2.5 GaN基板の赤外反射測定 / p26 (0015.jp2)
  14. 2.6 まとめ / p27 (0015.jp2)
  15. 参考文献 / p42 (0023.jp2)
  16. 第3章 GaNの光学的特性 / p47 (0025.jp2)
  17. 3.1 GaN薄膜の吸収係数 / p47 (0025.jp2)
  18. 3.2 GaN薄膜の弱励起PLスペクトル / p49 (0026.jp2)
  19. 3.3 Si,MgドープGaNにおける発光スペクトル / p52 (0028.jp2)
  20. 3.4 GaN基板の発光及び反射スペクトル / p54 (0029.jp2)
  21. 参考文献 / p69 (0036.jp2)
  22. 第4章 GaN及びInGaN井戸層をもつ単一量子井戸構造の光学的特性 / p71 (0037.jp2)
  23. 4.1 GaN/AlGaN単一量子井戸構造における量子閉じ込めStark効果 / p71 (0037.jp2)
  24. 4.2 GaN/AlGaN単一量子井戸構造の井戸層へのInドープの効果 / p75 (0039.jp2)
  25. 4.3 InGaN/GaN単一量子井戸構造における光学的特性 / p77 (0040.jp2)
  26. 4.4 まとめ / p80 (0042.jp2)
  27. 参考文献 / p99 (0051.jp2)
  28. 第5章 InGaN多重量子井戸構造の光学的特性 / p101 (0052.jp2)
  29. 5.1 InGaN多重量子井戸の電子構造 / p101 (0052.jp2)
  30. 5.2 InGaN多重量子井戸からの誘導放出 / p105 (0054.jp2)
  31. 5.3 まとめ / p108 (0056.jp2)
  32. 参考文献 / p121 (0062.jp2)
  33. 第6章 結論 / p125 (0064.jp2)
5アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000173630
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000173906
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000337944
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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