化合物半導体表面の再構成構造に関する研究

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著者

    • 西澤, 正泰 ニシザワ, マサヤス

書誌事項

タイトル

化合物半導体表面の再構成構造に関する研究

著者名

西澤, 正泰

著者別名

ニシザワ, マサヤス

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第1355号

学位授与年月日

1999-03-04

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1-1.はじめに / p1 (0005.jp2)
  4. 1-2.本研究の目的 / p2 (0006.jp2)
  5. 1-3.本論文の概要 / p5 (0008.jp2)
  6. 第1章の参考文献 / p8 (0010.jp2)
  7. 第2章 表面再構成構造の評価手法 / p11 (0011.jp2)
  8. 2-1.はじめに / p11 (0011.jp2)
  9. 2-2.透過電子回折法(TED) / p11 (0011.jp2)
  10. 2-3.走査トンネル顕微鏡法(STM) / p19 (0016.jp2)
  11. 2-4.Auger電子分光法(AES) / p23 (0019.jp2)
  12. 第2章の参考文献 / p28 (0023.jp2)
  13. 第3章 InSb(111)A-(2√3×2√3)-R30°表面再構成 / p30 (0024.jp2)
  14. 3-1.はじめに / p30 (0024.jp2)
  15. 3-2.実験装置 / p31 (0025.jp2)
  16. 3-3.STM/RHEEDおよびAES/RHEEDによる再構成表面の評価 / p35 (0028.jp2)
  17. 3-4.2√3表面の単相存在条件の確立 / p38 (0030.jp2)
  18. 3-5.結論 / p52 (0041.jp2)
  19. 第3章の参考文献 / p54 (0042.jp2)
  20. 第4章 2√3表面に対する構造モデルの構築 / p56 (0043.jp2)
  21. 4-1.はじめに / p56 (0043.jp2)
  22. 4-2.STMによる構造評価 / p57 (0044.jp2)
  23. 4-3.構造モデルの構築 / p65 (0050.jp2)
  24. 4-4.構造モデルの妥当性の評価 / p76 (0059.jp2)
  25. 4-5.結論 / p92 (0071.jp2)
  26. 第4章の参考文献 / p93 (0071.jp2)
  27. 第5章 TED法による表面原子配列の決定 / p95 (0072.jp2)
  28. 5-1.はじめに / p95 (0072.jp2)
  29. 5-2.MBE/HREM装置 / p96 (0073.jp2)
  30. 5-3.R因子の撮影条件依存性 / p99 (0075.jp2)
  31. 5-4.2√3表面の原子配列の決定 / p109 (0083.jp2)
  32. 5-5.結論 / p143 (0112.jp2)
  33. 第5章の参考文献 / p144 (0113.jp2)
  34. 第6章 結論 / p145 (0113.jp2)
  35. 6-1.2√3表面の単相存在条件の確立 / p145 (0113.jp2)
  36. 6-2.2√3表面に対する構造モデルの構築 / p146 (0114.jp2)
  37. 6-3.2√3表面の原子配列の決定 / p147 (0114.jp2)
  38. 謝辞 / (0115.jp2)
  39. 研究業績 / (0116.jp2)
5アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000173634
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000173910
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000337948
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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