ウエハスケールナノ構造形成の要素技術開発に関する基礎的研究 wehasukeru nano kozo keisei no yoso gijutsu kaihatsu ni kansuru kisoteki kenkyu

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著者

    • 原, 謙一 ハラ, ケンイチ

書誌事項

タイトル

ウエハスケールナノ構造形成の要素技術開発に関する基礎的研究

タイトル別名

wehasukeru nano kozo keisei no yoso gijutsu kaihatsu ni kansuru kisoteki kenkyu

著者名

原, 謙一

著者別名

ハラ, ケンイチ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第1359号

学位授与年月日

1999-03-04

注記・抄録

博士論文

制度:新 ; 文部省報告番号:甲1359号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1999/3/4 ; 早大学位記番号:新2797 ; 理工学図書館請求番号:2324

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目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 ナノ構造作成技術の現状 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的 / p2 (0006.jp2)
  5. 1.3 本研究の概要 / p5 (0009.jp2)
  6. 第1章の参考文献 / p10 (0014.jp2)
  7. 第2章 シリコン/液体界面の構造と物性の制御 / p11 (0015.jp2)
  8. 2.1 シリコン/液体界面の解明の必要性 / p11 (0015.jp2)
  9. 2.2 シリコン/液体界面に関する従来の知見 / p11 (0015.jp2)
  10. 2.3 水素終端シリコン表面の形成とその性質 / p13 (0017.jp2)
  11. 2.4 シリコン/液体界面のインピーダンス測定 / p21 (0025.jp2)
  12. 2.5 シリコン/液体界面の自然電極電位測定 / p33 (0037.jp2)
  13. 2.6 シリコン/液体界面における電気化学反応 / p39 (0043.jp2)
  14. 2.7 第2章のまとめ / p41 (0045.jp2)
  15. 第2章の参考文献 / p42 (0046.jp2)
  16. 第3章 シリコン表面上への銅の核形成・成長機構の解明 / p43 (0047.jp2)
  17. 3.1 銅の核形成・成長機構解明の目的 / p43 (0047.jp2)
  18. 3.2 シリコン表面上への金属析出に関する従来の知見 / p44 (0048.jp2)
  19. 3.3 水素終端表面上の銅の析出 / p45 (0049.jp2)
  20. 3.4 第3章のまとめ / p59 (0063.jp2)
  21. 第3章の参考文献 / p60 (0064.jp2)
  22. 第4章 シリコン表面電位制御による銅の析出形態制御 / p61 (0065.jp2)
  23. 4.1 銅の析出形態制御の目的 / p61 (0065.jp2)
  24. 4.2 シリコン表面上の選択析出の観察 / p62 (0066.jp2)
  25. 4.3 水素終端シリコン表面の構造モデルからの選択析出の考察 / p66 (0070.jp2)
  26. 4.4 シリコン表面のエネルギーバンドから析出速度の考察 / p68 (0072.jp2)
  27. 4.5 浸漬初期のAFM観察からの考察 / p70 (0074.jp2)
  28. 4.6 第4章のまとめ / p73 (0077.jp2)
  29. 第4章の参考文献 / p74 (0078.jp2)
  30. 第5章 ウェハースケール表面改質のための集束電子ビーム表面改質装置の開発 / p75 (0079.jp2)
  31. 5.1 集束電子ビーム表面改質装置開発の目的 / p75 (0079.jp2)
  32. 5.2 電子ビーム描画に関する従来の知見 / p76 (0080.jp2)
  33. 5.3 集束電子ビーム表面改質装置の構成 / p77 (0081.jp2)
  34. 5.4 集束電子ビーム表面改質装置の性能評価 / p81 (0085.jp2)
  35. 5.5第5章のまとめ / p85 (0089.jp2)
  36. 第5章の参考文献 / p86 (0090.jp2)
  37. 第6章 結論 / p87 (0091.jp2)
  38. 謝辞 / (0093.jp2)
  39. 研究業績 / (0094.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000173638
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000173914
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000337952
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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