ZnSe/GaAs基板界面およびZnSe再成長界面の特性評価とその制御に関する研究

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著者

    • 山形, 友二 ヤマガタ, ユウジ

書誌事項

タイトル

ZnSe/GaAs基板界面およびZnSe再成長界面の特性評価とその制御に関する研究

著者名

山形, 友二

著者別名

ヤマガタ, ユウジ

学位授与大学

北海道工業大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第14号

学位授与年月日

1999-03-16

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 学位論文内容の要旨 / (0002.jp2)
  2. 目次 / p1 (0006.jp2)
  3. 第1章 序論 / (0009.jp2)
  4. 1.1 研究の背景 / p1 (0010.jp2)
  5. 1.2 本研究の目的 / p9 (0018.jp2)
  6. 1.3 本論文の構成と要旨 / p9 (0019.jp2)
  7. 第2章 ZnSe系化合物のMBE成長と成長膜および界面特性の評価法 / (0021.jp2)
  8. 2.1 分子線エピタキシー法 / p12 (0022.jp2)
  9. 2.2 成長膜の光学的特性と結晶性の評価 / p29 (0039.jp2)
  10. 2.3 成長膜の電気的特性の評価 / p45 (0055.jp2)
  11. 2.4 MIS構造を用いた界面特性の評価 / p53 (0063.jp2)
  12. 2.5 半導体界面のエネルギー帯構造と界面準位 / p74 (0084.jp2)
  13. 第3章 ZnSeのMBE成長と伝導制御の最適化 / (0091.jp2)
  14. 3.1 はじめに / p81 (0092.jp2)
  15. 3.2 ZnSeのMBE成長とドーピング条件 / p82 (0093.jp2)
  16. 3.3 アンドープZnSe膜の特性 / p82 (0093.jp2)
  17. 3.4 ClドープZnSe膜の特性 / p87 (0098.jp2)
  18. 3.5 まとめ / p107 (0118.jp2)
  19. 第4章 ZnSe成長膜およびZnSe/GaAS界面の電気的特性に及ぼすGaAs基板表面処理プロセスの影響 / (0120.jp2)
  20. 4.1 はじめに / p109 (0121.jp2)
  21. 4.2 ZnSe/GaAsヘテロ界面の形成 / p111 (0123.jp2)
  22. 4.3 GaAs基板表面処理の成長膜への影響 / p123 (0135.jp2)
  23. 4.4 擬似MIS構造によるZnSe/GaAs界面の電気的特性評価 / p138 (0150.jp2)
  24. 4.6 まとめ / p177 (0188.jp2)
  25. 第5章 ZnSe再成長界面の電気的特性評価と再成長プロセスの最適化に関する検討 / (0191.jp2)
  26. 5.1 はじめに / p180 (0192.jp2)
  27. 5.2 試料作製と評価法 / p182 (0194.jp2)
  28. 5.3 ZnSe再成長界面のI-V、C-V特性による評価 / p187 (0199.jp2)
  29. 5.4 ZnSe再成長界面の容量過渡応答解析による評価 / p195 (0207.jp2)
  30. 5.5 再成長界面における電流輸送機構 / p206 (0218.jp2)
  31. 5.6 再成長界面における準位密度分布 / p217 (0229.jp2)
  32. 5.7 再成長プロセスによる界面特性の差異とその改善 / p225 (0237.jp2)
  33. 5.8 まとめ / p233 (0245.jp2)
  34. 第6章 総括 / (0247.jp2)
  35. 6.1 結論 / p235 (0248.jp2)
  36. 謝辞 / p240 (0253.jp2)
  37. 参考文献 / p241 (0254.jp2)
  38. 研究業績 / p249 (0262.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000173917
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000174193
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000338231
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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