超伝導メソスコピックデバイスの電流輸送機構及びノイズ特性に関する研究
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Author
Bibliographic Information
- Title
-
超伝導メソスコピックデバイスの電流輸送機構及びノイズ特性に関する研究
- Author
-
斉藤, 敦
- Author(Another name)
-
サイトウ, アツシ
- University
-
長岡技術科学大学
- Types of degree
-
博士(工学)
- Grant ID
-
甲第191号
- Degree year
-
1999-03-25
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / (0003.jp2)
- 超伝導メソスコピックデバイスの電流輸送機構及びノイズ特性に関する研究 / (0002.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 1.1 トンネル型デバイスの準粒子電流特性､及びノイズ特性の研究背景 / p1 (0006.jp2)
- 1.2 非トンネル型デバイスの準粒子電流特性､及びノイズ特性の研究背景 / p10 (0011.jp2)
- 1.3 非トンネル型デバイスの研究課題 / p16 (0014.jp2)
- 1.4 本研究の目的と本論文の構成 / p18 (0015.jp2)
- 1.5 第1章の参考文献 / p20 (0016.jp2)
- 第2章 非トンネル型ScSデバイスの作製法､及び準粒子電流特性 / p22 (0023.jp2)
- 2.1 三層連続成膜､及び選択性Nb陽極酸化法による作製プロセス / p22 (0017.jp2)
- 2.2 N₂プラズマクリーニング法､及び連続成膜法により作製したScSデバイスの準粒子電流特性の比較 / p28 (0020.jp2)
- 2.3 陽極酸化プロファイルに関する検討 / p34 (0023.jp2)
- 2.4 第2章のまとめ / p43 (0027.jp2)
- 2.5 第2章の参考文献 / p44 (0028.jp2)
- 第3章 非トンネル型ScSの準粒子電流特性 / p45 (0028.jp2)
- 3.1 デバイス品質パラメータQの定義 / p45 (0028.jp2)
- 3.2 Above Gap structures(AGS)に関する考察 / p53 (0032.jp2)
- 3.3 Subharmonic-energy Gap Structures(SGS)に関する考察 / p70 (0041.jp2)
- 3.4 第3章のまとめ / p95 (0053.jp2)
- 3.5 第3章の参考文献 / p97 (0054.jp2)
- 第4章 非トンネル型デバイスのノイズ特性 / p99 (0055.jp2)
- 4.1 非トンネル型デバイスのショットノイズ特性 / p99 (0055.jp2)
- 4.2 1/fノイズ特性 / p123 (0067.jp2)
- 4.3 第4章のまとめ / p141 (0076.jp2)
- 4.4 第4章の参考文献 / p144 (0078.jp2)
- 第5章 非トンネル型ScSデバイスの電磁波応答特性 / p145 (0078.jp2)
- 5.1 準粒子電流の電磁波応答特性 / p145 (0078.jp2)
- 5.2 非シャピロステップ(non-Shapiro steps:NSS)に関する考察 / p152 (0082.jp2)
- 5.3 第5章のまとめ / p169 (0090.jp2)
- 5.4 第5章の参考文献 / p171 (0091.jp2)
- 第6章 総括 / p172 (0092.jp2)
- 付録1 Likharevの条件による一価のI(φ)をもつ非トンネル型デバイス / p180 (0096.jp2)
- 付録2 BTK理論に基づいた超伝導メソスコピック系の微分コンダクタンスの導出 / p182 (0097.jp2)
- 付録3 Multi-Particle Tunneling / p184 (0098.jp2)
- 付録4 Josephson Self Coupling / p167 (0099.jp2)
- 付録の参考文献 / p187 (0099.jp2)
- 本研究に関する発表論文 / p188 (0100.jp2)
- 謝辞 / p190 (0101.jp2)