ポーラスシリコンの構造制御と発光特性に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
ポーラスシリコンの構造制御と発光特性に関する研究
- 著者名
-
中川, 隆史
- 著者別名
-
ナカガワ, タカシ
- 学位授与大学
-
東京農工大学
- 取得学位
-
博士(工学)
- 学位授与番号
-
甲第219号
- 学位授与年月日
-
1999-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0008.jp2)
- 1-1 研究の背景 / p1 (0008.jp2)
- 1-2 本研究の目的 / p6 (0013.jp2)
- 第2章 磁界印加陽極酸化法 / p8 (0015.jp2)
- 2-1 はじめに / p8 (0015.jp2)
- 2-2 磁界印加陽極酸化法 / p9 (0016.jp2)
- 2-3 評価内容 / p12 (0019.jp2)
- 第3章 構造的性質 / p14 (0021.jp2)
- 3-1 はじめに / p14 (0021.jp2)
- 3-2 評価方法 / p16 (0023.jp2)
- 3-3 多孔質構造に与える効果 / p18 (0025.jp2)
- 3-4 PS/Si界面に与える効果 / p25 (0032.jp2)
- 3-5 まとめ / p27 (0034.jp2)
- 第4章 発光特性 / p29 (0036.jp2)
- 4-1 はじめに / p29 (0036.jp2)
- 4-2 評価方法 / p30 (0037.jp2)
- 4-3 基礎発光特性評価 / p33 (0040.jp2)
- 4-4 光学的均一性に関する評価 / p36 (0043.jp2)
- 4-5 発光特性の励起波長依存性 / p39 (0046.jp2)
- 4-6 PLの発光減衰特性 / p41 (0048.jp2)
- 4-7 まとめ / p42 (0049.jp2)
- 第5章 磁界印加陽極酸化機構 / p45 (0052.jp2)
- 5-1 はじめに / p45 (0052.jp2)
- 5-2 評価方法 / p46 (0053.jp2)
- 5-3 多孔度と発光特性の関係 / p49 (0056.jp2)
- 5-4 化学的結合状態に与える効果 / p53 (0060.jp2)
- 5-5 アノードポテンシャルに与える効果 / p54 (0061.jp2)
- 5-6 平均実効化数(n値)に与える効果 / p59 (0066.jp2)
- 5-7 印加磁化効果のHF濃度依存性 / p61 (0068.jp2)
- 5-8 磁界印加陽極酸化法のモデル / p63 (0070.jp2)
- 5-9 まとめ / p65 (0072.jp2)
- 第6章 応用への展開 / p66 (0073.jp2)
- 6-1 はじめに / p66 (0073.jp2)
- 6-2 PS発光素子作製への有効性 / p67 (0074.jp2)
- 6-3 電気化学的酸化法との融合によるPS諸特性の改善 / p72 (0079.jp2)
- 6-4 まとめ / p78 (0085.jp2)
- 第7章 Siナノ周期構造の作製 / p79 (0086.jp2)
- 7-1 はじめに / p79 (0086.jp2)
- 7-2 Siナノ周期構造 / p79 (0086.jp2)
- 7-3 実験方法 / p80 (0087.jp2)
- 7-4 磁界印加陽極酸化法の効果 / p82 (0089.jp2)
- 7-5 Siナノ周期構造における磁界印加陽極酸化法の効果 / p86 (0093.jp2)
- 7-6 Siナノ周期構造の形成および外部印加磁界効果のモデル / p94 (0101.jp2)
- 7-7 まとめ / p98 (0105.jp2)
- 第8章 結論 / p99 (0106.jp2)
- 付録 / p102 (0109.jp2)
- 参考文献 / p106 (0113.jp2)
- 要旨 / (0006.jp2)