プラズマ・プロセスにより作製した太陽電池用シリコン薄膜の基礎研究
この論文にアクセスする
この論文をさがす
著者
書誌事項
- タイトル
-
プラズマ・プロセスにより作製した太陽電池用シリコン薄膜の基礎研究
- 著者名
-
亀井, 利浩
- 著者別名
-
カメイ, トシヒロ
- 学位授与大学
-
京都大学
- 取得学位
-
博士 (理学)
- 学位授与番号
-
乙第10291号
- 学位授与年月日
-
2000-01-24
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文目録 / (0001.jp2)
- 第1章 緒言 / (0008.jp2)
- 1.1 はじめに / (0008.jp2)
- 1.2 水素化アモルファス･シリコン膜(a-Si:H) / (0011.jp2)
- 1.3 微結晶シリコン膜(μc-Si:H) / (0025.jp2)
- 1.4 本論文の構成 / (0029.jp2)
- 参考文献 / (0032.jp2)
- 第2章 a-Si:Hにおける欠陥密度決定機構 / (0047.jp2)
- 2.1 背景 / (0047.jp2)
- 2.2 低温低速製膜による欠陥密度の低減 / (0061.jp2)
- 2.3 ノンドープa-Si:Hにおける間欠堆積の効果 / (0066.jp2)
- 2.4 Bドープa-Si:Hにおける間欠堆積の効果 / (0070.jp2)
- 2.5 まとめ / (0075.jp2)
- 参考文献 / (0076.jp2)
- 第3章 a-Si:Hの光劣化と不純物 / (0110.jp2)
- 3.1 背景 / (0110.jp2)
- 3.2 ウルトラ･クリーン･プラズマ･プロセスの開発 / (0116.jp2)
- 3.3 超高純度a-Si:H膜の光劣化特性 / (0128.jp2)
- 3.4 まとめ / (0129.jp2)
- 参考文献 / (0130.jp2)
- 第4章 μc-Si:Hと不純物 / (0147.jp2)
- 4.1 背景 / (0147.jp2)
- 4.2 低温結晶成長と不純物 / (0149.jp2)
- 4.3 欠陥および電気伝導特性と不純物 / (0156.jp2)
- 4.4 光安定性 / (0159.jp2)
- 4.5 まとめ / (0160.jp2)
- 参考文献 / (0162.jp2)
- 第5章 a-Si:Hの光劣化の抑制を目指して / (0174.jp2)
- 5.1 背景 / (0174.jp2)
- 5.2 a-Si:Hへの微結晶埋め込みによる光誘起欠陥抑制 / (0175.jp2)
- 5.3 まとめ / (0183.jp2)
- 参考文献 / (0185.jp2)
- 謝辞と雑感 / (0190.jp2)
- A phosphorescence study of jet-cooled xanthone / p354 (0247.jp2)
- Temperature and Solvent Dependences of the Zero-Field Splittings and Character of the Triplet States of Methylpyrazines / p7963 (0252.jp2)
- POLARIZED ELECTROABSORPTION IN PULSE AND CONTINUOUS LIGHT-SOAKED a-Si:H-STRUCTURAL CHANGE OTHER THAN DEFECT CREATION / p61 (0256.jp2)
- 超高純度水素化アモルファスシリコンの作製 / p1 (0263.jp2)
- 超高純度水素化アモルファスシリコンの作製-光劣化と不純物の関係は?- / p332 (0274.jp2)
- 微結晶シリコン膜成長表面における不純物の微視的役割-大粒径化と低欠陥密度化- / p37 (0281.jp2)
