ポーラスシリコン及びシリコン量子ドットの光物性

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著者

    • 柴, 和利 シバ, カズトシ

書誌事項

タイトル

ポーラスシリコン及びシリコン量子ドットの光物性

著者名

柴, 和利

著者別名

シバ, カズトシ

学位授与大学

広島大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第3110号

学位授与年月日

1998-10-08

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 梗概 / p1 (0006.jp2)
  3. 第1章 本研究の目的 / p4 (0009.jp2)
  4. 参考文献 / p6 (0011.jp2)
  5. 第2章 本研究の背景 / p7 (0012.jp2)
  6. §2.1 ポーラスシリコンからの発光 / p7 (0012.jp2)
  7. §2.2 ポーラスシリコンの構造 / p7 (0012.jp2)
  8. §2.3 シリコンナノ構造の発光特性及び発光機構モデル / p14 (0019.jp2)
  9. §2.4 ポーラスシリコンのデバイス応用 / p25 (0030.jp2)
  10. 参考文献 / p27 (0032.jp2)
  11. 第3章 本研究の基礎をなす実験方法 / p31 (0036.jp2)
  12. §3.1 陽極化成法及びポーラスシリコン形成機構 / p31 (0036.jp2)
  13. §3.2 フォトルミネッセンス / p37 (0042.jp2)
  14. §3.3 時間分解フォトルミネッセンス / p41 (0046.jp2)
  15. §3.4 励起スペクトル / p43 (0048.jp2)
  16. §3.5 光熱偏向分光 / p44 (0049.jp2)
  17. 参考文献 / p47 (0052.jp2)
  18. 第4章 ポーラスシリコンの構造評価 / p49 (0054.jp2)
  19. §4.1 緒言 / p49 (0054.jp2)
  20. §4.2 赤外吸収分光による表面化学状態評価 / p49 (0054.jp2)
  21. §4.3 X線回折及びラマン散乱分光法による構造評価 / p54 (0059.jp2)
  22. §4.4 まとめ / p57 (0062.jp2)
  23. 参考文献 / p57 (0062.jp2)
  24. 第5章 ポーラスシリコンの表面化学結合状態と発光特性 / p58 (0063.jp2)
  25. §5.1 緒言 / p58 (0063.jp2)
  26. §5.2 電子線照射による水素脱離と発光特性 / p58 (0063.jp2)
  27. §5.3 熱酸化によるポーラスシリコンの発光安定化 / p62 (0067.jp2)
  28. §5.4 まとめ / p68 (0073.jp2)
  29. 参考文献 / p69 (0074.jp2)
  30. 第6章 熱酸化ポーラスシリコンの発光特性 / p70 (0075.jp2)
  31. §6.1 緒言 / p70 (0075.jp2)
  32. §6.2 連続光励起による発光特性 / p70 (0075.jp2)
  33. §6.3 パルス光励起による発光decay / p74 (0079.jp2)
  34. §6.4 発光decayの励起時間依存性 / p79 (0084.jp2)
  35. §6.5 まとめ / p87 (0092.jp2)
  36. 参考文献 / p87 (0092.jp2)
  37. 第7章 熱酸化ポーラスシリコンのフォトルミネッセンスにおける偏光特性 / p89 (0094.jp2)
  38. §7.1 緒言 / p89 (0094.jp2)
  39. §7.2 ガラス半導体のフォトルミネッセンスの偏光記憶効果 / p89 (0094.jp2)
  40. §7.3 熱酸化ポーラスシリコンの偏光記憶率評価 / p94 (0099.jp2)
  41. §7.4 まとめ / p98 (0103.jp2)
  42. 参考文献 / p99 (0104.jp2)
  43. 第8章 熱酸化ポーラスシリコンのサブギャップ励起による発光特性―オーバーギャップ励起との比較― / p100 (0105.jp2)
  44. §8.1 緒言 / p100 (0105.jp2)
  45. §8.2 励起スペクトル測定によるバンドギャップ決定 / p100 (0105.jp2)
  46. §8.3 連続光励起による温度依存性 / p103 (0107.jp2)
  47. §8.4 パルス光励起による発光成分比較及びその温度依存性 / p106 (0111.jp2)
  48. §8.5 まとめ / p111 (0116.jp2)
  49. 参考文献 / p112 (0117.jp2)
  50. 第9章 低圧化学堆積法により形成したシリコン量子ドットの光学特性 / p113 (0118.jp2)
  51. §9.1 緒論 / p113 (0118.jp2)
  52. §9.2 試料作製及びサイズ分布 / p113 (0118.jp2)
  53. §9.3 光熱偏向分光による光学吸収係数の評価 / p116 (0121.jp2)
  54. §9.4 連続光励起によるシリコン量子ドットの発光特性 / p118 (0123.jp2)
  55. §9.5 パルス光励起によるシリコン量子ドットの発光decay / p122 (0127.jp2)
  56. §9.6 まとめ / p126 (0131.jp2)
  57. 参考文献 / p126 (0131.jp2)
  58. 結論 / p128 (0133.jp2)
  59. 謝辞 / p132 (0137.jp2)
  60. 本研究に関する発表論文 / p133 (0138.jp2)
  61. 付録 / p136 (0141.jp2)
  62. A.シリコン量子ドット表面酸化膜厚の評価 / p136 (0141.jp2)
  63. B.石英基板上に堆積したSi量子ドットの連続光励起による発光特性 / p138 (0143.jp2)
  64. C.フォトルミネッセンス測定系の分光感度特性 / p139 (0144.jp2)
  65. D.励起スペクトル測定に用いた励起光スペクトル / p141 (0146.jp2)
  66. E.光熱偏向分光測定に用いた励起光スペクトル / p142 (0147.jp2)
  67. 参考文献 / p143 (0148.jp2)
4アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000185312
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000185594
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000349626
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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