ポーラスシリコン及びシリコン量子ドットの光物性
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Bibliographic Information
- Title
-
ポーラスシリコン及びシリコン量子ドットの光物性
- Author
-
柴, 和利
- Author(Another name)
-
シバ, カズトシ
- University
-
広島大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
乙第3110号
- Degree year
-
1998-10-08
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 梗概 / p1 (0006.jp2)
- 第1章 本研究の目的 / p4 (0009.jp2)
- 参考文献 / p6 (0011.jp2)
- 第2章 本研究の背景 / p7 (0012.jp2)
- §2.1 ポーラスシリコンからの発光 / p7 (0012.jp2)
- §2.2 ポーラスシリコンの構造 / p7 (0012.jp2)
- §2.3 シリコンナノ構造の発光特性及び発光機構モデル / p14 (0019.jp2)
- §2.4 ポーラスシリコンのデバイス応用 / p25 (0030.jp2)
- 参考文献 / p27 (0032.jp2)
- 第3章 本研究の基礎をなす実験方法 / p31 (0036.jp2)
- §3.1 陽極化成法及びポーラスシリコン形成機構 / p31 (0036.jp2)
- §3.2 フォトルミネッセンス / p37 (0042.jp2)
- §3.3 時間分解フォトルミネッセンス / p41 (0046.jp2)
- §3.4 励起スペクトル / p43 (0048.jp2)
- §3.5 光熱偏向分光 / p44 (0049.jp2)
- 参考文献 / p47 (0052.jp2)
- 第4章 ポーラスシリコンの構造評価 / p49 (0054.jp2)
- §4.1 緒言 / p49 (0054.jp2)
- §4.2 赤外吸収分光による表面化学状態評価 / p49 (0054.jp2)
- §4.3 X線回折及びラマン散乱分光法による構造評価 / p54 (0059.jp2)
- §4.4 まとめ / p57 (0062.jp2)
- 参考文献 / p57 (0062.jp2)
- 第5章 ポーラスシリコンの表面化学結合状態と発光特性 / p58 (0063.jp2)
- §5.1 緒言 / p58 (0063.jp2)
- §5.2 電子線照射による水素脱離と発光特性 / p58 (0063.jp2)
- §5.3 熱酸化によるポーラスシリコンの発光安定化 / p62 (0067.jp2)
- §5.4 まとめ / p68 (0073.jp2)
- 参考文献 / p69 (0074.jp2)
- 第6章 熱酸化ポーラスシリコンの発光特性 / p70 (0075.jp2)
- §6.1 緒言 / p70 (0075.jp2)
- §6.2 連続光励起による発光特性 / p70 (0075.jp2)
- §6.3 パルス光励起による発光decay / p74 (0079.jp2)
- §6.4 発光decayの励起時間依存性 / p79 (0084.jp2)
- §6.5 まとめ / p87 (0092.jp2)
- 参考文献 / p87 (0092.jp2)
- 第7章 熱酸化ポーラスシリコンのフォトルミネッセンスにおける偏光特性 / p89 (0094.jp2)
- §7.1 緒言 / p89 (0094.jp2)
- §7.2 ガラス半導体のフォトルミネッセンスの偏光記憶効果 / p89 (0094.jp2)
- §7.3 熱酸化ポーラスシリコンの偏光記憶率評価 / p94 (0099.jp2)
- §7.4 まとめ / p98 (0103.jp2)
- 参考文献 / p99 (0104.jp2)
- 第8章 熱酸化ポーラスシリコンのサブギャップ励起による発光特性―オーバーギャップ励起との比較― / p100 (0105.jp2)
- §8.1 緒言 / p100 (0105.jp2)
- §8.2 励起スペクトル測定によるバンドギャップ決定 / p100 (0105.jp2)
- §8.3 連続光励起による温度依存性 / p103 (0107.jp2)
- §8.4 パルス光励起による発光成分比較及びその温度依存性 / p106 (0111.jp2)
- §8.5 まとめ / p111 (0116.jp2)
- 参考文献 / p112 (0117.jp2)
- 第9章 低圧化学堆積法により形成したシリコン量子ドットの光学特性 / p113 (0118.jp2)
- §9.1 緒論 / p113 (0118.jp2)
- §9.2 試料作製及びサイズ分布 / p113 (0118.jp2)
- §9.3 光熱偏向分光による光学吸収係数の評価 / p116 (0121.jp2)
- §9.4 連続光励起によるシリコン量子ドットの発光特性 / p118 (0123.jp2)
- §9.5 パルス光励起によるシリコン量子ドットの発光decay / p122 (0127.jp2)
- §9.6 まとめ / p126 (0131.jp2)
- 参考文献 / p126 (0131.jp2)
- 結論 / p128 (0133.jp2)
- 謝辞 / p132 (0137.jp2)
- 本研究に関する発表論文 / p133 (0138.jp2)
- 付録 / p136 (0141.jp2)
- A.シリコン量子ドット表面酸化膜厚の評価 / p136 (0141.jp2)
- B.石英基板上に堆積したSi量子ドットの連続光励起による発光特性 / p138 (0143.jp2)
- C.フォトルミネッセンス測定系の分光感度特性 / p139 (0144.jp2)
- D.励起スペクトル測定に用いた励起光スペクトル / p141 (0146.jp2)
- E.光熱偏向分光測定に用いた励起光スペクトル / p142 (0147.jp2)
- 参考文献 / p143 (0148.jp2)