アモルファスSi/アモルファスGe多層膜構造の形成と物性制御
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著者
書誌事項
- タイトル
-
アモルファスSi/アモルファスGe多層膜構造の形成と物性制御
- 著者名
-
出木, 秀典
- 著者別名
-
デキ, ヒデノリ
- 学位授与大学
-
広島大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
-
乙第3111号
- 学位授与年月日
-
1998-10-08
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 梗概 / p1 (0006.jp2)
- 第1章 序論 / p4 (0009.jp2)
- §1.1 本研究の目的 / p4 (0009.jp2)
- §1.2 歴史的背景 / p5 (0010.jp2)
- 文献 / p10 (0015.jp2)
- 第2章 量子井戸の物理 / p11 (0016.jp2)
- §2.1 緒言 / p11 (0016.jp2)
- §2.2 量子サイズ効果 / p11 (0016.jp2)
- §2.3 トンネル効果 / p15 (0020.jp2)
- §2.4 サブバンド / p17 (0022.jp2)
- 文献 / p18 (0023.jp2)
- 第3章 アモルファスシリコン膜成長初期過程の微視的観察 / p19 (0024.jp2)
- §3.1 緒言 / p19 (0024.jp2)
- §3.2 原子的に平坦なSi(111)基板の作製 / p19 (0024.jp2)
- §3.3 実験方法 / p21 (0026.jp2)
- §3.4 堆積温度200℃におけるa-Si:H､a-Ge:Hの堆積初期過程 / p22 (0027.jp2)
- §3.5 a-Si:H堆積初期過程の堆積温度依存性 / p26 (0031.jp2)
- §3.6 まとめ / p29 (0034.jp2)
- 文献 / p30 (0035.jp2)
- 第4章 a-Si:H/a-Ge:H超格子の作製及び構造評価 / p31 (0036.jp2)
- §4.1 緒言 / p31 (0036.jp2)
- §4.2 a-Si:H/a-Ge:に超格子の作製 / p31 (0036.jp2)
- §4.3 X線回折による超格子の構造評価 / p33 (0038.jp2)
- §4.4 a-Si:H/a-Ge:H超格子のバンド不連続量の決定 / p36 (0041.jp2)
- §4.5 まとめ / p38 (0043.jp2)
- 第5章 a-Si:H/a-Ge:H超格子における光学的･電気的特性の井戸幅依存性 / p40 (0045.jp2)
- §5.1 緒言 / p40 (0045.jp2)
- §5.2 光学的特性 / p40 (0045.jp2)
- §5.3 電気的特性 / p47 (0052.jp2)
- §5.4 まとめ / p50 (0055.jp2)
- 文献 / p50 (0055.jp2)
- 第6章 a-Si:H/a-Ge:H超格子における光学的･電気的特性のバリア幅依存性 / p51 (0056.jp2)
- §6.1 緒言 / p51 (0056.jp2)
- §6.2 光学的特性 / p51 (0056.jp2)
- §6.3 電気的特性 / p55 (0060.jp2)
- §6.4 まとめ / p56 (0061.jp2)
- 文献 / p57 (0062.jp2)
- 第7章 a-Si:H/a-Ge:H超格子のドーピング特性 / p58 (0063.jp2)
- §7.1 緒言 / p58 (0063.jp2)
- §7.2 変調ドーピングした試料の作製 / p58 (0063.jp2)
- §7.3 Doped a-Si:H/a-Ge:H超格子のバンド不連続量 / p59 (0064.jp2)
- §7.4 Doped a-Si:H/a-Ge:H超格子の電気的特性 / p62 (0067.jp2)
- §7.5 まとめ / p66 (0071.jp2)
- 文献 / p67 (0072.jp2)
- 第8章 a-SiGe:H及びa-Si:H/a-Ge:H超格子のギャップ内準位密度評価 / p68 (0073.jp2)
- §8.1 緒言 / p68 (0073.jp2)
- §8.2 試料作製及び測定条件 / p68 (0073.jp2)
- §8.3 a-SiGe:Hギャップ内準位密度分布の堆積温度依存性 / p69 (0074.jp2)
- §8.4 a-Si:H/a-Ge:H超格子のギャップ内準位密度分布 / p80 (0085.jp2)
- §8.5 まとめ / p83 (0088.jp2)
- 文献 / p84 (0089.jp2)
- 第9章 a-Si:H/a-Ge:H超格子を用いた薄膜トランジスタ / p85 (0090.jp2)
- §9.1 緒言 / p85 (0090.jp2)
- §9.2 a-Si:H/a-Ge:H超格子を用いた薄膜トランジスタ / p85 (0090.jp2)
- §9.3 まとめ / p91 (0096.jp2)
- 文献 / p91 (0096.jp2)
- 第10章 今後の課題 / p92 (0097.jp2)
- 結論 / p93 (0098.jp2)
- 謝辞 / p96 (0101.jp2)
- 本研究に関する発表論文リスト / p97 (0102.jp2)