アモルファスSi/アモルファスGe多層膜構造の形成と物性制御

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著者

    • 出木, 秀典 デキ, ヒデノリ

書誌事項

タイトル

アモルファスSi/アモルファスGe多層膜構造の形成と物性制御

著者名

出木, 秀典

著者別名

デキ, ヒデノリ

学位授与大学

広島大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第3111号

学位授与年月日

1998-10-08

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 梗概 / p1 (0006.jp2)
  3. 第1章 序論 / p4 (0009.jp2)
  4. §1.1 本研究の目的 / p4 (0009.jp2)
  5. §1.2 歴史的背景 / p5 (0010.jp2)
  6. 文献 / p10 (0015.jp2)
  7. 第2章 量子井戸の物理 / p11 (0016.jp2)
  8. §2.1 緒言 / p11 (0016.jp2)
  9. §2.2 量子サイズ効果 / p11 (0016.jp2)
  10. §2.3 トンネル効果 / p15 (0020.jp2)
  11. §2.4 サブバンド / p17 (0022.jp2)
  12. 文献 / p18 (0023.jp2)
  13. 第3章 アモルファスシリコン膜成長初期過程の微視的観察 / p19 (0024.jp2)
  14. §3.1 緒言 / p19 (0024.jp2)
  15. §3.2 原子的に平坦なSi(111)基板の作製 / p19 (0024.jp2)
  16. §3.3 実験方法 / p21 (0026.jp2)
  17. §3.4 堆積温度200℃におけるa-Si:H、a-Ge:Hの堆積初期過程 / p22 (0027.jp2)
  18. §3.5 a-Si:H堆積初期過程の堆積温度依存性 / p26 (0031.jp2)
  19. §3.6 まとめ / p29 (0034.jp2)
  20. 文献 / p30 (0035.jp2)
  21. 第4章 a-Si:H/a-Ge:H超格子の作製及び構造評価 / p31 (0036.jp2)
  22. §4.1 緒言 / p31 (0036.jp2)
  23. §4.2 a-Si:H/a-Ge:に超格子の作製 / p31 (0036.jp2)
  24. §4.3 X線回折による超格子の構造評価 / p33 (0038.jp2)
  25. §4.4 a-Si:H/a-Ge:H超格子のバンド不連続量の決定 / p36 (0041.jp2)
  26. §4.5 まとめ / p38 (0043.jp2)
  27. 第5章 a-Si:H/a-Ge:H超格子における光学的・電気的特性の井戸幅依存性 / p40 (0045.jp2)
  28. §5.1 緒言 / p40 (0045.jp2)
  29. §5.2 光学的特性 / p40 (0045.jp2)
  30. §5.3 電気的特性 / p47 (0052.jp2)
  31. §5.4 まとめ / p50 (0055.jp2)
  32. 文献 / p50 (0055.jp2)
  33. 第6章 a-Si:H/a-Ge:H超格子における光学的・電気的特性のバリア幅依存性 / p51 (0056.jp2)
  34. §6.1 緒言 / p51 (0056.jp2)
  35. §6.2 光学的特性 / p51 (0056.jp2)
  36. §6.3 電気的特性 / p55 (0060.jp2)
  37. §6.4 まとめ / p56 (0061.jp2)
  38. 文献 / p57 (0062.jp2)
  39. 第7章 a-Si:H/a-Ge:H超格子のドーピング特性 / p58 (0063.jp2)
  40. §7.1 緒言 / p58 (0063.jp2)
  41. §7.2 変調ドーピングした試料の作製 / p58 (0063.jp2)
  42. §7.3 Doped a-Si:H/a-Ge:H超格子のバンド不連続量 / p59 (0064.jp2)
  43. §7.4 Doped a-Si:H/a-Ge:H超格子の電気的特性 / p62 (0067.jp2)
  44. §7.5 まとめ / p66 (0071.jp2)
  45. 文献 / p67 (0072.jp2)
  46. 第8章 a-SiGe:H及びa-Si:H/a-Ge:H超格子のギャップ内準位密度評価 / p68 (0073.jp2)
  47. §8.1 緒言 / p68 (0073.jp2)
  48. §8.2 試料作製及び測定条件 / p68 (0073.jp2)
  49. §8.3 a-SiGe:Hギャップ内準位密度分布の堆積温度依存性 / p69 (0074.jp2)
  50. §8.4 a-Si:H/a-Ge:H超格子のギャップ内準位密度分布 / p80 (0085.jp2)
  51. §8.5 まとめ / p83 (0088.jp2)
  52. 文献 / p84 (0089.jp2)
  53. 第9章 a-Si:H/a-Ge:H超格子を用いた薄膜トランジスタ / p85 (0090.jp2)
  54. §9.1 緒言 / p85 (0090.jp2)
  55. §9.2 a-Si:H/a-Ge:H超格子を用いた薄膜トランジスタ / p85 (0090.jp2)
  56. §9.3 まとめ / p91 (0096.jp2)
  57. 文献 / p91 (0096.jp2)
  58. 第10章 今後の課題 / p92 (0097.jp2)
  59. 結論 / p93 (0098.jp2)
  60. 謝辞 / p96 (0101.jp2)
  61. 本研究に関する発表論文リスト / p97 (0102.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000185313
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000185595
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000349627
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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