Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体薄膜中の希土類原子に関する低温電子スピン共鳴測定による研究

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著者

    • 石山, 武 イシヤマ, タケシ

書誌事項

タイトル

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体薄膜中の希土類原子に関する低温電子スピン共鳴測定による研究

著者名

石山, 武

著者別名

イシヤマ, タケシ

学位授与大学

筑波大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第2093号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0007.jp2)
  3. 1.1 研究の背景 / p1 (0007.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的 / p7 (0013.jp2)
  5. 参考文献 / p10 (0016.jp2)
  6. 第2章 希土類添加半導体の特徴 / p13 (0019.jp2)
  7. 2.1 希土類原子の電子構造 / p13 (0019.jp2)
  8. 2.2 半導体への希土類原子の添加方法 / p18 (0024.jp2)
  9. 2.3 半導体中の希土類原子の発光機構 / p20 (0026.jp2)
  10. 参考文献 / p23 (0029.jp2)
  11. 第3章 実験手法 / p25 (0031.jp2)
  12. 3.1 電子スピン共鳴法(ESR) / p25 (0031.jp2)
  13. 3.2 ESR装置と測定法 / p30 (0036.jp2)
  14. 3.3 希土類4f電子の電子スピン共鳴 / p33 (0039.jp2)
  15. 3.4 半導体中希土類4f電子のPhotoluminescence(PL)、Photoluminescence excitation(PLE)測定 / p38 (0044.jp2)
  16. 参考文献 / p41 (0047.jp2)
  17. 第4章 InP中Ybの4f電子状態 / p43 (0049.jp2)
  18. 4.1 はじめに / p43 (0049.jp2)
  19. 4.2 試料の成長条件 / p44 (0050.jp2)
  20. 4.3 InP中Ybの電子スピン共鳴 / p45 (0051.jp2)
  21. 4.4 電子トラップ準位とYbの4f電子状態 / p49 (0055.jp2)
  22. 4.5 まとめ / p56 (0062.jp2)
  23. 参考文献 / p57 (0063.jp2)
  24. 第5章 酸素共添加GaAs:ErにおけるEr-O複合体の電子スピン共鳴 / p58 (0064.jp2)
  25. 5.1 はじめに / p58 (0064.jp2)
  26. 5.2 試料の成長条件 / p60 (0066.jp2)
  27. 5.3 酸素共添加GaAs:Erの電子スピン共鳴 / p61 (0067.jp2)
  28. 5.4 各Er-O複合中心のESR強度と線幅について / p70 (0076.jp2)
  29. 5.5 ESRで観測される各Er-O複合中心濃度の評価 / p74 (0080.jp2)
  30. 5.6 成長条件によるESR、PLの変化 / p80 (0086.jp2)
  31. 5.7 まとめ / p82 (0088.jp2)
  32. 参考文献 / p84 (0090.jp2)
  33. 第6章 Er-O複合体とEr発光中心 / p85 (0091.jp2)
  34. 6.1 はじめに / p85 (0091.jp2)
  35. 6.2 ESR強度とPLE強度のEr濃度依存性 / p85 (0091.jp2)
  36. 6.3 有効g値の異方性とEr-O複合中心の対称性 / p88 (0094.jp2)
  37. 6.4 光照射ESR / p106 (0112.jp2)
  38. 6.5 まとめ / p123 (0129.jp2)
  39. 参考文献 / p125 (0131.jp2)
  40. 第7章 結論 / p126 (0132.jp2)
  41. 謝辞 / p129 (0135.jp2)
  42. 業績リスト / p130 (0136.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000185599
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000185881
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000349913
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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