電子スピン共鳴法による水素化アモルファスシリコン中の局在中心の研究

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著者

    • 梅田, 享英 ウメタ, タカヒデ

書誌事項

タイトル

電子スピン共鳴法による水素化アモルファスシリコン中の局在中心の研究

著者名

梅田, 享英

著者別名

ウメタ, タカヒデ

学位授与大学

筑波大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第2094号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 はじめに / p1 (0004.jp2)
  3. 1.1.研究の背景~水素化アモルファスシリコン中の2種類の局在準位 / p1 (0004.jp2)
  4. 1.2.研究の目的、その内容~電子スピン共鳴法による局在中心の起源解明 / p3 (0005.jp2)
  5. 参考文献 / p4 (0006.jp2)
  6. 第2章 実験手法と試料 / p6 (0007.jp2)
  7. 2.1.a-Si:H試料 / p6 (0007.jp2)
  8. 2.2.ESR / p8 (0008.jp2)
  9. 参考文献 / p21 (0015.jp2)
  10. 第3章 ダングリングボンド欠陥のESR / p22 (0015.jp2)
  11. 3.1.何が問題か?~ダングリングボンド欠陥に関するこれまでの研究結果 / p22 (0015.jp2)
  12. 3.2.ESRスペクトルのシミュレーション / p25 (0017.jp2)
  13. 3.3.結果 / p29 (0019.jp2)
  14. 3.4.議論 / p34 (0021.jp2)
  15. 3.5.第3章のまとめ / p39 (0024.jp2)
  16. 参考文献 / p40 (0024.jp2)
  17. 第4章 バンド裾局在電子のESR(LESR) / p42 (0025.jp2)
  18. 4.1.はじめに / p42 (0025.jp2)
  19. 4.2.結果 / p47 (0028.jp2)
  20. 4.3.議論 / p58 (0033.jp2)
  21. 4.4.第4章のまとめ / p69 (0039.jp2)
  22. 参考文献 / p70 (0039.jp2)
  23. 第5章 本研究の成果 / p73 (0041.jp2)
  24. 謝辞 / p75 (0042.jp2)
  25. 付録(シミュレーションプログラム) / p76 (0043.jp2)
  26. 発表論文リスト / p78 (0044.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000185600
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000185882
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000349914
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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