電子デバイス用ダイヤモンド薄膜の合成とそのキャリア輸送現象に関する研究 デンシ デバイスヨウ ダイヤモンド ハクマク ノ ゴウセイ ト ソノ キャリア ユソウ ゲンショウ ニカンスル ケンキュウ

この論文をさがす

著者

    • 山中, 貞則 ヤマナカ, サダノリ

書誌事項

タイトル

電子デバイス用ダイヤモンド薄膜の合成とそのキャリア輸送現象に関する研究

タイトル別名

デンシ デバイスヨウ ダイヤモンド ハクマク ノ ゴウセイ ト ソノ キャリア ユソウ ゲンショウ ニカンスル ケンキュウ

著者名

山中, 貞則

著者別名

ヤマナカ, サダノリ

学位授与大学

筑波大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第2099号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

筑波大学博士 (工学) 学位論文・平成11年3月25日授与 (甲第2099号)

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p1 (0004.jp2)
  4. 1.2 ワイドギャップ半導体としてのダイヤモンド / p2 (0005.jp2)
  5. 1.3 気相合成ダイヤモンド薄膜の歴史 / p3 (0005.jp2)
  6. 1.4 本研究の目的と意義 / p4 (0006.jp2)
  7. 1.5 参考文献 / p8 (0008.jp2)
  8. 第2章 電子デバイス用ダイヤモンド薄膜の合成法と評価技術 / p9 (0008.jp2)
  9. 2.1 はじめに / p9 (0008.jp2)
  10. 2.2 電子デバイス用ダイヤモンド薄膜合成に用いたCVDシステム / p9 (0008.jp2)
  11. 2.3 ダイヤモンド薄膜の評価技術 / p13 (0010.jp2)
  12. 2.4 まとめ / p23 (0015.jp2)
  13. 2.5 参考文献 / p24 (0016.jp2)
  14. 第3章 無添加ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の合成と接合特性 / p25 (0016.jp2)
  15. 3.1 はじめに / p25 (0016.jp2)
  16. 3.3 実験 / p27 (0017.jp2)
  17. 3.4 実験結果及び考察 / p30 (0019.jp2)
  18. 3.5 結論 / p42 (0025.jp2)
  19. 3.6 参考文献 / p43 (0025.jp2)
  20. 第4章 ホウ素添加ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の合成と評価 / p45 (0026.jp2)
  21. 4.1 はじめに / p45 (0026.jp2)
  22. 4.2 研究背景と現状 / p45 (0026.jp2)
  23. 4.3 実験 / p48 (0028.jp2)
  24. 4.4 実験結果及び考察 / p51 (0029.jp2)
  25. 4.5 結論 / p69 (0038.jp2)
  26. 4.6 参考文献 / p71 (0039.jp2)
  27. 第5章 ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜での不純物の挙動 / p74 (0041.jp2)
  28. 5.1 ダイヤモンド薄膜成長中にドーピングしたホウ素の制御 / p74 (0041.jp2)
  29. 5.2 水素及び酸素がダイヤモンドのキャリア輸送に与える現象の解明 / p87 (0047.jp2)
  30. 第6章 総括 / p118 (0063.jp2)
  31. 謝辞 / p121 (0064.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000185605
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000185887
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000349919
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ