等方性及び異方性反応場でのポリアセチレン薄膜の合成とそのモルフォロジーの制御 トウホウセイ オヨビ イホウセイ ハンノウバ デノ ポリアセチレン ハクマク ノ ゴウセイ ト ソノ モルフォロジー ノ セイギョ

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著者

    • 梁, 天賜 リョウ, テンシ

書誌事項

タイトル

等方性及び異方性反応場でのポリアセチレン薄膜の合成とそのモルフォロジーの制御

タイトル別名

トウホウセイ オヨビ イホウセイ ハンノウバ デノ ポリアセチレン ハクマク ノ ゴウセイ ト ソノ モルフォロジー ノ セイギョ

著者名

梁, 天賜

著者別名

リョウ, テンシ

学位授与大学

筑波大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

甲第2103号

学位授与年月日

1999-03-25

注記・抄録

博士論文

従来の高分子には導電性はほとんどなく、絶縁材料あるいは誘電材料として利用されてきた。1970年代にはいって、π共役系が発達した高分子は、特別な不純物を添加(ドーピング)することによって、金属的な導電性を示すことが初めて明らかにされた。 ...

筑波大学博士 (工学) 学位論文・平成11年3月25日授与 (甲第2103号)

標題紙,目次 -- 論文概要 -- 第1章 序論 -- 第2章 試薬及び実験装置 -- 第3章 等方性反応場でのポレアセチレン超薄膜の合成と性質 -- 第4章 等方性反応場での薄膜のモンフォロジーの制御 -- 第5章 異方性反応場での垂直配向ポリアセラチン薄膜の合成 -- 第6章 アセチレン重合の異方性包接反応場の構築 -- 第7章 総論・謝辞

目次

  1. 【論文目次】 / p1 (0003.jp2)
  2. 論文概要 / p1 (0006.jp2)
  3. 第1章 序論 / p9 (0014.jp2)
  4. 1-1 導電性有機高分子 / p9 (0014.jp2)
  5. 1-2 ポリアセチレン / p14 (0019.jp2)
  6. 1-3 本研究の目的と内容 / p35 (0040.jp2)
  7. References / p40 (0045.jp2)
  8. 第2章 試薬及び実験装置 / p46 (0051.jp2)
  9. 2-1 重合用試薬 / p46 (0051.jp2)
  10. 2-2 異方性反応場の構築に関する試薬 / p47 (0052.jp2)
  11. 2-3 実験装置 / p49 (0054.jp2)
  12. 第3章 等方性反応場でのポリアセチレン超薄膜の合成と性質 / p52 (0057.jp2)
  13. 3-1 序論 / p52 (0057.jp2)
  14. 3-2 ポリアセチレン超薄膜の合成 / p55 (0060.jp2)
  15. 3-3 高シス含有率の超薄膜の合成 / p62 (0067.jp2)
  16. 3-4 アセチレン重合の活性化エネルギー / p70 (0075.jp2)
  17. 3-5 超薄膜のモルフォロジーと導電率との関係 / p73 (0078.jp2)
  18. References / p77 (0082.jp2)
  19. 第4章 等方性反応場での薄膜のモルフォロジーの制御 / p79 (0084.jp2)
  20. 4-1 序論 / p79 (0084.jp2)
  21. 4-2 薄膜の合成 / p82 (0087.jp2)
  22. 4-3 溶媒重合法での薄膜のモルフォロジーの制御 / p84 (0089.jp2)
  23. 4-4 脱溶媒重合法での薄膜のモルフォロジーの制御 / p99 (0104.jp2)
  24. 4-5 無溶媒重合法での薄膜のモルフォロジーの制御 / p99 (0104.jp2)
  25. 4-6 まとめ / p103 (0108.jp2)
  26. References / p104 (0109.jp2)
  27. 第5章 異方性反応場での垂直配向ポリアセチレン薄膜の合成 / p105 (0110.jp2)
  28. 5-1 序論 / p105 (0110.jp2)
  29. 5-2 反応場を構築する液晶溶媒の合成 / p109 (0114.jp2)
  30. 5-3 液晶溶媒の相転移温度の考察 / p113 (0118.jp2)
  31. 5-4 反応場の構築と薄膜の合成 / p118 (0123.jp2)
  32. 5-5 薄膜のモルフォロジーの考察 / p119 (0124.jp2)
  33. References / p124 (0129.jp2)
  34. 第6章 アセチレン重合の異方性包接反応場の構築 / p125 (0130.jp2)
  35. 6-1 序論 / p125 (0130.jp2)
  36. 6-2 液晶基を有するカリックス[6]アレン包接化合物の合成 / p129 (0134.jp2)
  37. 6-3 反応場を構築するPCH500系液晶溶媒の合成 / p133 (0138.jp2)
  38. 6-4 異方性反応場の構築 / p136 (0141.jp2)
  39. References / p141 (0146.jp2)
  40. 第7章 総論 / p142 (0147.jp2)
  41. 謝辞 / p146 (0151.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000185609
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000185891
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000349923
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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