等方性及び異方性反応場でのポリアセチレン薄膜の合成とそのモルフォロジーの制御
Access this Article
Search this Article
Author
Bibliographic Information
- Title
-
等方性及び異方性反応場でのポリアセチレン薄膜の合成とそのモルフォロジーの制御
- Author
-
梁, 天賜
- Author(Another name)
-
リョウ, テンシ
- University
-
筑波大学
- Types of degree
-
博士 (工学)
- Grant ID
-
甲第2103号
- Degree year
-
1999-03-25
Note and Description
博士論文
従来の高分子には導電性はほとんどなく、絶縁材料あるいは誘電材料として利用されてきた。1970年代にはいって、π共役系が発達した高分子は、特別な不純物を添加（ドーピング）することによって、金属的な導電性を示すことが初めて明らかにされた。 ...
1998
Table of Contents
- 【論文目次】 / p1 (0003.jp2)
- 論文概要 / p1 (0006.jp2)
- 第1章 序論 / p9 (0014.jp2)
- 1-1 導電性有機高分子 / p9 (0014.jp2)
- 1-2 ポリアセチレン / p14 (0019.jp2)
- 1-3 本研究の目的と内容 / p35 (0040.jp2)
- References / p40 (0045.jp2)
- 第2章 試薬及び実験装置 / p46 (0051.jp2)
- 2-1 重合用試薬 / p46 (0051.jp2)
- 2-2 異方性反応場の構築に関する試薬 / p47 (0052.jp2)
- 2-3 実験装置 / p49 (0054.jp2)
- 第3章 等方性反応場でのポリアセチレン超薄膜の合成と性質 / p52 (0057.jp2)
- 3-1 序論 / p52 (0057.jp2)
- 3-2 ポリアセチレン超薄膜の合成 / p55 (0060.jp2)
- 3-3 高シス含有率の超薄膜の合成 / p62 (0067.jp2)
- 3-4 アセチレン重合の活性化エネルギー / p70 (0075.jp2)
- 3-5 超薄膜のモルフォロジーと導電率との関係 / p73 (0078.jp2)
- References / p77 (0082.jp2)
- 第4章 等方性反応場での薄膜のモルフォロジーの制御 / p79 (0084.jp2)
- 4-1 序論 / p79 (0084.jp2)
- 4-2 薄膜の合成 / p82 (0087.jp2)
- 4-3 溶媒重合法での薄膜のモルフォロジーの制御 / p84 (0089.jp2)
- 4-4 脱溶媒重合法での薄膜のモルフォロジーの制御 / p99 (0104.jp2)
- 4-5 無溶媒重合法での薄膜のモルフォロジーの制御 / p99 (0104.jp2)
- 4-6 まとめ / p103 (0108.jp2)
- References / p104 (0109.jp2)
- 第5章 異方性反応場での垂直配向ポリアセチレン薄膜の合成 / p105 (0110.jp2)
- 5-1 序論 / p105 (0110.jp2)
- 5-2 反応場を構築する液晶溶媒の合成 / p109 (0114.jp2)
- 5-3 液晶溶媒の相転移温度の考察 / p113 (0118.jp2)
- 5-4 反応場の構築と薄膜の合成 / p118 (0123.jp2)
- 5-5 薄膜のモルフォロジーの考察 / p119 (0124.jp2)
- References / p124 (0129.jp2)
- 第6章 アセチレン重合の異方性包接反応場の構築 / p125 (0130.jp2)
- 6-1 序論 / p125 (0130.jp2)
- 6-2 液晶基を有するカリックス[6]アレン包接化合物の合成 / p129 (0134.jp2)
- 6-3 反応場を構築するPCH500系液晶溶媒の合成 / p133 (0138.jp2)
- 6-4 異方性反応場の構築 / p136 (0141.jp2)
- References / p141 (0146.jp2)
- 第7章 総論 / p142 (0147.jp2)
- 謝辞 / p146 (0151.jp2)
