高密度電子流に誘起される原子移動現象に関する研究 コウミツド デンシリュウ ニ ユウキ サレル ゲンシ イドウ ゲンショウ ニカンスル ケンキュウ

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著者

    • 近藤, 誠一 コンドウ, セイイチ

書誌事項

タイトル

高密度電子流に誘起される原子移動現象に関する研究

タイトル別名

コウミツド デンシリュウ ニ ユウキ サレル ゲンシ イドウ ゲンショウ ニカンスル ケンキュウ

著者名

近藤, 誠一

著者別名

コンドウ, セイイチ

学位授与大学

筑波大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第1437号

学位授与年月日

1998-07-24

注記・抄録

博士論文

近年の半導体素子の設計・製造技術の進歩は目覚ましいものがあり、民生機器は勿論、通信・情報処理や各種の産業機器といった極めて広範囲で多様な使用条件のもとで用いられている。さらに、数百万~数千万素子をシリコン基板 ...

筑波大学博士 (工学) 学位論文・平成10年7月24日授与 (乙第1437号)

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 1.1 研究の背景と目的 / p1 (0004.jp2)
  4. 1.2 本論文の構成と概要 / p5 (0006.jp2)
  5. 第1章の参考文献 / p6 (0007.jp2)
  6. 第2章 エレクトロマイグレーションによるサブミクロン配線の温度分布の実時間計測 / p7 (0007.jp2)
  7. 2.1 緒言 / p7 (0007.jp2)
  8. 2.2 実験方法 / p9 (0008.jp2)
  9. 2.3 サブミクロン配線のサーモグラフ像の時間変化 / p12 (0010.jp2)
  10. 2.4 結言 / p29 (0018.jp2)
  11. 第2章の参考文献 / p30 (0019.jp2)
  12. 第3章 結晶性向上によるエレクトロマイグレーションの抑制 / p31 (0019.jp2)
  13. 3.1 緒言 / p31 (0019.jp2)
  14. 3.2 実験方法 / p33 (0020.jp2)
  15. 3.3 エレクトロマイグレーション寿命を決定するパラメータの測定 / p36 (0022.jp2)
  16. 3.4 結晶粒径と配向性による積層構造のマッピング / p41 (0024.jp2)
  17. 3.5 結言 / p46 (0027.jp2)
  18. 第3章の参考文献 / p47 (0027.jp2)
  19. 第4章 エレクトロマイグレーション誘起の配線寿命の予測 / p48 (0028.jp2)
  20. 4.1 緒言 / p48 (0028.jp2)
  21. 4.2 実験方法 / p48 (0028.jp2)
  22. 4.3 配線寿命の予測 / p50 (0029.jp2)
  23. 4.4 結言 / p61 (0034.jp2)
  24. 第4章の参考文献 / p61 (0034.jp2)
  25. 第5章 STMを用いたナノメータレベル原子移動現象の解析 / p63 (0035.jp2)
  26. 5.1 緒言 / p63 (0035.jp2)
  27. 5.2 実験方法 / p65 (0036.jp2)
  28. 5.3 STM加工の結果とそのメカニズムの検討 / p70 (0039.jp2)
  29. 5.4 原子移動現象の整理 / p72 (0040.jp2)
  30. 5.5 結言 / p79 (0043.jp2)
  31. 第5章の参考文献 / p79 (0043.jp2)
  32. 第6章 結論 / p81 (0044.jp2)
  33. 謝辞 / p83 (0045.jp2)
  34. 研究業績 / p84 (0046.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000185734
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000186016
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000350048
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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