GaAs基板上への立方晶GaNのハライド気相成長に関する研究 GaAs キバンジョウ エノ リッポウショウ GaN ノ ハライド キショウ セイチョウ ニカンスル ケンキュウ

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著者

    • 土屋, 晴稔 ツチヤ, ハルトシ

書誌事項

タイトル

GaAs基板上への立方晶GaNのハライド気相成長に関する研究

タイトル別名

GaAs キバンジョウ エノ リッポウショウ GaN ノ ハライド キショウ セイチョウ ニカンスル ケンキュウ

著者名

土屋, 晴稔

著者別名

ツチヤ, ハルトシ

学位授与大学

筑波大学

取得学位

博士 (工学)

学位授与番号

乙第1438号

学位授与年月日

1998-07-24

注記・抄録

博士論文

筑波大学博士 (工学) 学位論文・平成10年7月24日授与 (乙第1438号)

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 第2章 研究の背景と目的 / p3 (0007.jp2)
  4. 2-1 GaAs基板上への高品質・厚膜GaN層の必要性 / p4 (0008.jp2)
  5. 2-2 立方晶GaN膜の高品質化と六方晶GaNの混入見積り / p11 (0015.jp2)
  6. 2-3 バッファ層を用いたGaN層の成長 / p15 (0019.jp2)
  7. 2-4 GaN層中に含まれる不純物の影響 / p20 (0024.jp2)
  8. 2-5 本研究の目的 / p24 (0028.jp2)
  9. 参考文献 / p25 (0029.jp2)
  10. 第3章 GaAs基板上へのGaN成長のVPE/MBEハイブリッド成長 / p28 (0032.jp2)
  11. 3-1 (001)GaAs基板上へのGaNの成長 / p29 (0033.jp2)
  12. 3-2 (OOl)GaAs、(111)GaAs基板上へのGaN成長の比較 / p38 (0042.jp2)
  13. 参考文献 / p43 (0047.jp2)
  14. 第4章 X線測定による六方晶/立方晶GaN混合比の推定 / p44 (0048.jp2)
  15. 4-1 X線回折による結晶の評価 / p45 (0049.jp2)
  16. 4-2 回折X線の積分強度の理論計算 / p52 (0056.jp2)
  17. 4-3 ω法X線回折測定を用いた(001)GaAs基板上の六方晶GaN混入見積 / p55 (0059.jp2)
  18. 参考文献 / p60 (0064.jp2)
  19. 第5章 HVPEバッファ層を用いた立方晶GaNの成長 / p61 (0065.jp2)
  20. 5-1 成長方法 / p62 (0066.jp2)
  21. 5-2 HVPE法によるバッファ層の成長 / p63 (0067.jp2)
  22. 5-3 HVPEバッファ層上への高温厚膜成長 / p68 (0072.jp2)
  23. 参考文献 / p80 (0084.jp2)
  24. 第6章 厚膜立方晶GaNの成長と不純物の影響 / p81 (0085.jp2)
  25. 6-1 厚膜立方晶GaNのHVPE/MOMBEハイブリッド成長 / p82 (0086.jp2)
  26. 6-2 GaN中に含まれる砒素及び酸素の影響 / p89 (0093.jp2)
  27. 参考文献 / p103 (0107.jp2)
  28. 第7章 結論 / p104 (0108.jp2)
  29. 謝辞 / p107 (0111.jp2)
  30. 研究業績 / p108 (0112.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000185735
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000186017
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000350049
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション
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