化合物半導体ヘテロ接合を用いた移動体通信末端用高出力FETに関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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化合物半導体ヘテロ接合を用いた移動体通信末端用高出力FETに関する研究
- 著者名
-
岩田, 直高
- 著者別名
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イワタ, ナオタカ
- 学位授与大学
-
筑波大学
- 取得学位
-
博士 (工学)
- 学位授与番号
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乙第1511号
- 学位授与年月日
-
1999-03-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 【第1章】序論 / p1 (0005.jp2)
- 【第2章】研究の背景と目的 / p5 (0007.jp2)
- [2.1]マルチメディア時代の移動体通信 / p5 (0007.jp2)
- [2.2]移動体通信端末用高出力素子の現状と課題 / p8 (0009.jp2)
- [2.3]化合物半導体結晶技術の現状 / p11 (0010.jp2)
- [2.4]本研究の目的 / p13 (0011.jp2)
- [第2章 参考文献] / p14 (0012.jp2)
- 【第3章】FET用化合物半導体ヘテロ接合の特性とその改善 / p15 (0012.jp2)
- [3.1]FET用化合物半導体ヘテロ接合の特性 / p15 (0012.jp2)
- [3.2]DXセンターの回避I(低Al組成比AlGaAs中のドナー評価) / p17 (0013.jp2)
- [3.3]DXセンターの回避II(AlAs/GaAs短周期超格子中のドナー評価) / p26 (0018.jp2)
- [3.4]FET用化合物半導体ヘテロ接合の熱安定性 / p34 (0022.jp2)
- [3.5]結論 / p41 (0025.jp2)
- [第3章 参考文献] / p42 (0026.jp2)
- 【第4章】高出力MESFETの問題点とその改善 / p44 (0027.jp2)
- [4.1]GaAsチャネル層の上にアンドープGaAs層を配したMESFET / p44 (0027.jp2)
- [4.2]酸化膜ドライエッチング開口によるGaAs結晶へのダメージ評価 / p59 (0034.jp2)
- [4.3]InPチャネルMESFETの検討(ヘテロMIS型InPFET) / p69 (0039.jp2)
- [4.4]結論 / p82 (0046.jp2)
- [第4章 参考文献] / p83 (0046.jp2)
- 【第5章】高出力ヘテロ接合FETの設計 / p84 (0047.jp2)
- [5.1]InP系ダブルドープHJFET / p84 (0047.jp2)
- [5.2]GaAs系ダブルドープHJFET / p92 (0051.jp2)
- [5.3]結論 / p106 (0058.jp2)
- [第5章 参考文献] / p107 (0058.jp2)
- 【第6章】InP系ダブルドープHJFET / p109 (0059.jp2)
- [6.1]素子構造 / p109 (0059.jp2)
- [6.2]作製プロセス / p110 (0060.jp2)
- [6.3]素子特性 / p116 (0063.jp2)
- [6.4]結論 / p123 (0066.jp2)
- [第6章 参考文献] / p124 (0067.jp2)
- 【第7章】GaAs系ダブルドープHJFET / p125 (0067.jp2)
- [7.1]3.5V動作デジタル携帯電話用小型高出力HJFET / p125 (0067.jp2)
- [7.2]1.2V動作デジタル携帯電話用高出力HJFET / p139 (0074.jp2)
- [7.3]単一電源動作デジタル携帯電話用高出力HJFET / p150 (0080.jp2)
- [7.4]結論 / p159 (0084.jp2)
- [第7章 参考文献] / p161 (0085.jp2)
- 【第8章】小型MMICアンプへの適用 / p163 (0086.jp2)
- [8.1]MMIC用SrTiO₃キャパシタ / p163 (0086.jp2)
- [8.2]デジタル携帯電話用MMICアンプ / p166 (0088.jp2)
- [8.3]符合分割多元接続方式携帯電話用MMICアンプ / p174 (0092.jp2)
- [8.4]結論 / p179 (0094.jp2)
- [第8章 参考文献] / p180 (0095.jp2)
- 【第9章】結論 / p181 (0095.jp2)
- 付録 用語の説明 / p186 (0098.jp2)
- 謝辞 / p190 (0100.jp2)
- 本研究に関する発表論文および学会発表 / p191 (0100.jp2)
